Diodes公司多款最新产品概述

本期目录

碳化硅肖特基二极管：650V 碳化硅肖特基二极管具有极低 FOM，可为电源解决方案提供最高效率

IntelliFET：BSP75N 自我保护型电源开关仍然是热门的设计选择

霍尔效应传感器：

高精度 I2C 3D 线性霍尔效应传感器，适用于汽车产品应用的旋转和接近检测

先进的锑化铟霍尔器件传感器，适用于旋转和电流测量产品应用

产品概述如下

650V 碳化硅肖特基二极管具有极低 FOM，可为电源解决方案提供最高效率

Diodes 公司扩大碳化硅 (SiC) 产品组合，推出五款高性能、低品质因数 (FOM) 的 650V 碳化硅肖特基二极管。

DSCxxA065LP 系列额定电流为 4A、6A、8A、10A 及 12A，采用超高热效率的 T-DFN8080-4 封装，为高效率电源开关产品应用而设计，例如直流对直流、交流转直流、可再生能源、数据中心 (特别是处理大量人工智能 (AI) 工作负载的数据中心) 以及工业电机驱动器等。

与硅二极管相比，这五款碳化硅肖特基二极管具有更好的电源开关性能。由于没有反向恢复电流，以及低电容电荷 (QC)，该系列器件的开关损耗可以忽略不计，适用于高速开关电路。这五款二极管的低正向电压 (VF) 可将传导损耗降至最低，进一步提升整体功率效率。这些特点结合起来实现极低的 FOM，可由以下公式表示：

FOM = QC x VF

这五款器件采用小巧轻薄的 T-DFN8080-4 (典型尺寸：8mm x 8mm x 1mm) 表面贴装封装，底部有大面积散热片，可降低热阻。这有助于提高电路设计的功率密度，缩小解决方案总体尺寸，并降低冷却预算。T-DFN8080-4 是 TO252 (DPAK) 的理想替代方案。

查看产品详情：DSC04A065LP (4A)、DSC06A065LP (6A)、DSC08A065LP (8A)、DSC10A065LP (10A) 和 DSC12A065LP (12A)。

极低的 FOM (QC x VF) 可实现更高系统效率的设计，降低工作和冷却成本

高达 175°C 的工作温度可增强系统在严酷环境下的可靠性

正向电压正温度系数确保工作稳定性，并支持器件并联

产品封装：DFN8080-4 (典型尺寸：8mm x 8mm x 1mm)

典型方框图和品质因数 (FOM) 性能指标

 

 

IntelliFET BSP75N 自我保护型电源开关仍然是热门的设计选择

BSP75N 上市已有 25 年，仍得到广泛使用并经过验证，可提供受保护的开关解决方案。

此器件采用 SOT223 封装，可在严酷环境中，以及高达 36V 的系统电压下，提供强大且可靠的低侧直流开关。多年来，Diodes 公司不断开发该设计，进一步提供具有更低 RDS(ON) 和输入电流的版本，不过最初版本仍是热门选择。

该器件特别适合：

具有高浪涌电流的负载，例如灯和电机

通用负载开关 (电阻、电感和电容负载)

3.3V 和 5V µPC 型系统

替代机电继电器和分立电路

产品封装：SOT23F

高精度 I2C 3D 线性霍尔效应传感器，适用于汽车产品应用的旋转和接近检测

符合汽车标准*的 AH4930Q 是 Diode 公司的首款 3D 线性霍尔效应传感器。该器件符合 AEC-Q100 Grade 1 等级规范，温度范围扩大为 -40°C 至 +125°C。   高性能的 AH4930Q 为高精度磁性感测提供精巧的解决方案。此单片传感器 IC 集成温度传感器，可提供精确的片上补偿。该器件的强大信号路径和高分辨率 ADC 能够精确测量三个轴上的磁场，有助于准确解码运动和位置信息。   AH4930Q 集成用户可编程的设定寄存器，可优化性能。通过 I2C 接口 (高达 1Mbps) 可存取数据，实现与主机系统的无缝集成。可选择电源模式控制单元允许灵活工作，包括系统睡眠时的断电 (9nA) 模式，以及为主动且高要求的应用实现恒定测量的连续 (快速) 模式 (3.8mA)。  

高精度 12 位数据转换器霍尔传感器的测量可低至 1 高斯

片上 12 位温度传感器

10µs 快速启动和 4µs 响应时间，可快速响应磁场变化

产品封装：SOT26

先进的锑化铟霍尔器件传感器，适用于旋转和电流测量产品应用

AHE101/AHE102/AHE108/AHE300 是先进的锑化铟霍尔器件，适用于转速检测和电流测量产品应用，例如无刷直流电机、风扇和电流传感器。

这四款锑化铟霍尔器件采用桥式结构配置，具有超高灵敏度，能够检测微弱磁场，并提供成比例的模拟输出。四款器件都提供多种霍尔灵敏度 (等级)，可根据任意给定的磁场强度，提供不同的输出电压位准，从而根据不同的产品应用需求实现优化。

超高灵敏度锑化铟霍尔器件可检测微弱磁场

环境温度范围高达 125°C

低于 10mV 的失调电压支持高分辨率和检测精度

产品封装：SOT23-4 (不同高度选项) 和 SIP-4 封装