LM5013-Q1 非同步降压转换器设计用于在较宽的输入电压范围内进行调节,从而最大限度地减少对外部浪涌抑制元件的需求。50 ns 的最小可控导通时间有助于实现较大的降压转换比,从而实现从 48 V 标称输入到低压轨的直接降压,从而降低系统复杂性和解决方案成本。LM5013-Q1 可在低至 6V 的输入电压骤降期间运行,并在需要时以接近 100% 的占空比运行,使其成为高性能 48V 电池汽车应用和 MHEV/EV 系统的绝佳选择。
*附件:lm5013-q1.pdf
LM5013-Q1 具有集成的高压侧功率 MOSFET,可提供高达 3.5A 的输出电流。恒定导通时间 (COT) 控制架构提供几乎恒定的开关频率,并具有出色的负载和线路瞬态响应。LM5013-Q1 的其他特性包括超低 IQ可实现高轻载效率、创新的峰值过流保护、集成 VCC 偏置电源和自举二极管、精密使能和输入 UVLO 以及具有自动恢复功能的热关断保护。漏极开路 PGOOD 指示器提供排序、故障报告和输出电压监控。
LM5013-Q1 符合汽车 AEC-Q100 1 级标准,并采用 8 引脚 SO PowerPAD™ 封装。1.27mm 引脚间距为高压应用提供了足够的间距。
特性
- 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用
- 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C,环境温度范围
- 功能安全
- 专为可靠和坚固的应用而设计
- 6 V 至 100 V 的宽输入电压范围
- –40°C 至 +150°C 结温范围
- 固定 3.5ms 内部软启动定时器
- 峰值限流保护
- 输入 UVLO 和热关断保护
- 针对超低 EMI 要求进行了优化
- 适用于可扩展的汽车电源
- 与 LM5163-Q1 和 LM5164-Q1 引脚对引脚兼容(100V、0.5A 或 1A)
- 50ns 的低最小导通时间和关断时间
- 10μA 空载休眠电流
- 3.1μA 关断静态电流
- 集成可减小解决方案尺寸和成本
- COT 模式控制架构
- 集成 100V、0.25 Ω 功率 MOSFET
- 1.2V 内部电压基准
- 无环路补偿元件
- 内部 VCC 偏置稳压器和引导二极管
参数

方框图

概述
LM5013-Q1是一款专为汽车应用设计的100V输入、3.5A非同步降压DC/DC转换器,具有超低静态电流和高效的COT(恒定导通时间)控制架构。该器件符合AEC-Q100标准,适用于-40°C至+125°C的工作温度范围,并提供了多种保护功能,如输入欠压锁定(UVLO)和热关断保护。
主要特性
- AEC-Q100认证:适用于汽车级应用。
- 宽输入电压范围:支持6V至100V的输入电压,适合多种高压应用。
- 高效COT控制:提供近似恒定的开关频率和优异的负载及线路瞬态响应。
- 超低静态电流:10μA无负载睡眠电流,3.1μA关断静态电流,有助于延长电池寿命。
- 集成高压MOSFET:内置100V、0.25Ω功率MOSFET,简化设计并降低成本。
- 保护功能:包括输入UVLO、热关断保护、过流保护等。
- 可扩展性:与LM5163-Q1和LM5164-Q1引脚兼容,便于设计升级。
应用领域
- 混合动力、电动和动力传动系统
- 逆变器和电机控制
- 工业运输
详细描述
- COT控制架构:通过固定导通时间控制开关频率,提供快速负载瞬态响应。
- 内部软启动:内置3.5ms软启动定时器,减少启动应力。
- 精确使能输入:提供可编程的欠压锁定功能,保护电路免受低电压影响。
- PGOOD指示器:开漏输出,用于指示输出电压状态和系统故障报告。
- 热关断保护:在结温超过175°C时自动关断,防止过热损坏。
封装与订购信息
- 封装类型:8引脚SO PowerPAD™封装,1.27mm引脚间距。
- 工作温度范围:-40°C至+150°C。
- 订购信息:LM5013QDDARQ1、LM5013QDDARQ1.A等。
布局指南
- 输入和输出电容应尽可能靠近LM5013-Q1放置,以最小化寄生电感和电阻。
- SW节点迹线应尽可能短且宽,以减少辐射发射和开关损耗。
- 反馈电阻应靠近LM5013-Q1放置,并远离噪声源。
支持资源
- 提供WEBENCH® Power Designer工具,用于定制设计和仿真。
- TI E2E™支持论坛提供设计帮助和快速验证答案。
注意事项
- 在设计电路时,应确保满足LM5013-Q1的推荐工作条件和热设计要求。
- 在使用前请仔细阅读数据手册,确保正确理解和应用产品特性。
这份总结以markdown格式按逻辑顺序组织了LM5013-Q1的主要特性、应用领域、详细描述、封装与订购信息、布局指南、支持资源以及注意事项。