ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

ROHM（罗姆半导体）宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。

功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。

新模型“ROHM Level 3（L3）”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。由此，能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析，从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。

“ROHM Level 3（L3）”的第4代SiC MOSFET模型（共37款机型）已于2025年4月在官网上发布，用户可通过产品页面等渠道下载。新模型L3推出后，以往模型仍将继续提供。另外，ROHM还发布了详细的使用说明白皮书，以帮助用户顺利导入新模型。

用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载

<相关信息>
- 白皮书
- 设计模型支持页面
- SiC MOSFET技术文档

未来，ROHM将继续通过提升仿真技术，助力实现更高性能以及更高效率的应用设计，为电力转换技术的革新贡献力量。

审核编辑 黄宇