派恩杰半导体SNEC 2025圆满收官

SNEC 第十八届（2025）光伏展

派恩杰半导体 6.1H A155 

近日，全球最具影响力的国际化、专业化、规模化光伏盛会“SNEC第十八届国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会”圆满闭幕。派恩杰半导体在【6.1H馆 A155展位】重磅开展了新品发布、技术沙龙以及光伏客户方案的系统分享会，持续掀动展位热度，获得众多光伏行业专家以及专业观众的高度认可。

PART 01 新品发布会 & 技术沙龙

展会第一天，派恩杰隆重举行了“新品发布”分享会，并由派恩杰创始人黄兴博士亲自揭幕，就“3.5μm原胞尺寸”、“3300V晶圆”、“2000V Easy 3B功率模块”做出了正式的公布及革新性分析，吸引了无数碳化硅行业团队专家驻足，就碳化硅的应用市场及挑战与黄博士进行了深度对话。

同时，会上每天定时开展“技术沙龙”分享活动，为用户答疑解惑的同时更是进一步拉近了与产品终端用户的距离，会上，大家的提问让我们倍感荣幸，也让我们深刻意识到碳化硅的未来还有很长远的路需要与行业伙伴们共同深耕。

PART 02 光伏客户方案

此次派恩杰更是设置了针对性的“光伏客户方案”区域，展示了我们的芯片在光伏电源应用的前瞻性，聚焦智能运维、高效发电、降本增收三大核心价值。

PART 03 2000V高压平台应用

派恩杰新推出的2000V Easy 3B高压功率模块，广泛应用于光伏储能行业的电源转换和各种逆变器系统中可发挥其高效率和可靠性，以最大限度提高发电和储能效率。

应用优势：

逆变器：将直流电转为交流电，支持光伏阵列的输出，提升能量转换效率。

储能系统：控制能量流动，优化充放电过程，确保系统稳定性。

效率提升：2000V设计满足大规模光伏场景下的高压需求，减小电气损耗，提高系统整体效率。

PART 04 更大尺寸晶圆

晶圆是芯片的载体，其尺寸直接影响芯片的生产效率和成本，晶圆尺寸的增加使得生产效率和成本效益都有了显著提升。本次光伏展上派恩杰展出的更大尺寸晶圆，正是通过增大物理尺寸来达到降本增效的目的。在芯片结构尺寸相同的情况下，当晶圆直径增加时，边缘曲率变小，可以有效减少边缘损耗，提高材料利用率；其次晶圆尺寸增大后，制造工艺的一些基本步骤不随晶圆尺寸的变化而变化，这样就可以在不增加工艺步骤的情况下提高生产效率。

PART 05 SiC 功率器件

派恩杰半导体自创立以来一直专注于第三代半导体的设计与推广，碳化硅MOSFET的设计水平处于行业前列，关键性技术指标HDFM全球领先，拥有深厚的技术积累和全面的产业链优势。在650V、1200V、1700V、2000V四个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块和GaN HEMT产品，能够为客户提供全方位的选择和技术支持。

天盛会已圆满落幕，但派恩杰的步伐从未停歇。感谢本次会上莅临派恩杰展区的所有嘉宾、客户以及合作伙伴，您的信任与支持是我们的动力。感谢所有的认可与建议，我们会不断优化产品性能、持续创新，加强与全球伙伴的交流与协作，共同推动光伏行业发展、构建绿色能源未来贡献更多的力量、创造绿色能源新篇章。

【派恩杰半导体】

成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大规模导入国产新能源整车厂和Tier 1，其余产品广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。