高功率DC-DC应用设计新方案：DFN3.3x3.3源极朝下封装技术

专为高功率密度应用而设计的 DFN3.3x3.3 源极朝下封装，采用创新的栅极中置布局技术，可大幅简化 PCB 走线设计。

日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出采用DFN3.3x3.3源极朝下（Source Down）封装技术的AONK40202 25V MOSFET。该产品专为高功率密度DC-DC应用设计，可完美满足AI服务器和数据中心电源系统的严苛需求。AONK40202的创新源极朝下封装技术，使源极与PCB有较大的接触面积从而优化散热与电气性能，同时其栅极中置布局简化了PCB上走线设计，最大限度地减少栅极驱动器连接，进一步提升能效与系统可靠性。

AONK40202 MOSFET 具有出色的电流处理能力，其采用带夹片（Clip）的 DFN3.3x3.3 源极朝下封装技术，可提供高达319A 的持续电流，最高结温高达 175°C。这一设计为系统级性能带来显著提升，不仅能优化散热表现，还可实现更高的功率密度和能效水平。

AONK40202 采用创新的 DFN3.3x3.3 源极朝下（Source Down）封装技术，相比传统的漏极朝下（Drain Down）封装解决方案，降低功率损耗和提升散热性能方面表现更出色。该器件凭借更低的导通电阻(RDS(on))和增强的散热性能，为工程师提供了优化PCB空间利用率的关键技术优势。AONK40202的这些创新特性正是为应对AI服务器日益增长的功率密度需求提供理想解决方案。

—— Peter H. Wilson

MOSFET 产品线资深总监

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