仁懋TOLT封装MOS——专为大功率而生

当工业电源、储能设备、新能源交通等领域对功率密度的需求突破极限，传统MOSFET封装技术正面临前所未有的挑战。广东仁懋电子推出的TOLT顶部散热封装MOS，以颠覆性的散热设计与功率承载能力，成为大功率场景的核心解决方案。这款专为大芯片、大电流设计的器件，正以“散热快、损耗低、密度高”的三大优势，重新定义功率半导体的应用边界。

 

颠覆传统的顶部散热：让大功率不再“烫手”

TOLT封装的核心突破在于将传统底部散热路径“Junction→PCB” 彻底重构为“Junction→顶部散热器”。这种设计如同为芯片打开了“散热天窗”：

·热传导效率飙升：热量直接通过顶部TIM 热界面材料传导至散热器，相较于 TOLL 封装温度降低 36%，比传统 TO-220 插件封装散热效率提升近一倍。

·功率密度自由：允许芯片工作在更高温度区间，配合大尺寸芯片设计，单器件可承载超过50A 的持续电流，轻松应对充电桩、储能变流器等大电流场景。

·PCB 设计解放：摆脱底部散热对PCB 过孔和铜箔的依赖，电路板背面可自由布局驱动电路，使功率密度提升 40% 以上。

 

五大技术特性：大功率场景的“硬核支撑”

▶ 开尔文脚设计：驱动效率提升的 “魔法钥匙”

内置独立开尔文源极引脚，将寄生电感降低至1nH 以下，开关损耗减少 20%，在高频逆变场景中效率突破 99%。

▶ 1mm 爬电距离：高压安全的 “防护墙”

相比JEDEC 标准增加 1mm 爬电距离，轻松通过 1500V 耐压测试，满足储能电池组、工业电源等高压应用的安规要求。

 

▶ 鸥翼型引脚：工艺可靠性的 “守护者”

独特的鸥翼结构使贴片焊接面积增加30%，抗震动能力提升 5 倍，同时焊点可视化检测便捷，无空洞率困扰，完美适配自动化产线。

▶ Clip 键合技术：低阻大电流的 “助推器”

内部采用铜Clip 取代传统金线键合，RDS (ON) 降低 15%，大电流下温升再降 12%，尤其适合 BMS 双面贴装场景，比 TOLL 封装温度下降 22%。

▶ 超薄化设计：空间革命的 “推动者”

厚度仅1.2mm，可直接贴装于设备外壳散热，取代传统 TO-220/247 插件，实现产品厚度减半，为电动叉车、无人艇等紧凑型设备释放更多空间。

 

全场景覆盖：从工业到新能源的“功率心脏”

在工业领域，TOLT 封装 MOS 已成为 AI 服务器电源、通信基站电源的标配，其高可靠性助力数据中心 24 小时不间断运行；在新能源交通场景，从两轮电动车到游艇电机控制器，它以低损耗特性延长续航里程 15% 以上；而在电池 BMS 领域，双面贴装方案使电池组能量密度提升 20%，成为储能系统降本增效的关键。

如今，仁懋电子已实现中低压MOS、Cool MOS、SiC MOS 全系列 TOLT 封装量产，为高端工业、新能源市场提供从设计到量产的一站式服务。当大功率应用遇见 TOLT，一场关于效率与空间的革命正在上演 —— 你的下一个高功率方案，或许只差这颗 “会呼吸” 的 MOSFET。