Monolithic Power Systems (MPS)MPQ2483DQ-LF-P PWM LED驱动IC的参数特性 EDA模型和数据手册分享

给大家分享Monolithic Power Systems (MPS)MPQ2483DQ-LF-P PWM LED驱动IC的参数特性 EDA模型和数据手册。

(MPS)MPQ2483DQ-LF-P的数据手册免费下载
*附件：MPQ2483DQ.pdf

(MPS)MPQ2483DQ-LF-P 的EDA模型免费下载https://www.elecfans.com/p/e855664119

https://www.elecfans.com/p/e855664119

(MPS)MPQ2483DQ-LF-P PWM LED驱动IC是初级侧CC/CV反激式调节器。特点‌：

• • 无需光耦或次级反馈电路即可实现精确的恒压（CV）和恒流（CC）控制
  • 集成700V MOSFET和高压启动电流源
  • 断续导通模式（DCM）工作，采用可变关断时间控制
  • 功率节省技术，无负载功耗低于30mW
  • 全保护特性，包括VCC欠压锁定（VCC UVLO）、过载保护（OLP）、过温保护（OTP）等

2. 应用领域

• 手机充电器
• 手持电子设备适配器
• 待机和辅助电源

3. 封装信息

• ‌封装类型‌：SOIC8-7B

4. 电气特性

4.1 供电电压管理（VCC）

• VCC开启阈值（V_CCH）：18.8V至20.0V
• VCC关闭阈值（V_CCL）：8.2V至9.2V
• 操作电流（I_OP）：
  • f_S = f_S-min时：235μA至300μA
  • f_S = 40kHz时：0.55mA至0.85mA

4.2 内部MOSFET

• 击穿电压（V_BRDSS）：700V
• 导通电阻（R_DSon）：4.5Ω至6.5Ω（VCC=10V, I_DS=0.1A, T_J=25°C）

4.3 高压电流源

• 供电电流（I_HV）：1.8mA至2.6mA（VCC=18V, V_D=80V, T_J=25°C）

4.4 反馈输入（FB）

• FB参考电压（V_FB）：3.90V至4.02V
• OLP阈值（V_FBolp）：1.4V
• FB最大采样时间（t_FBS-Max）：多种配置，如R_SS=0Ω时，2.60μs至4.9μs

4.5 保护特性

• 过压保护（OVP）阈值：5.7V至6.3V
• 过温保护（OTP）阈值：140°C

5. 引脚功能

• ‌FB‌：反馈，决定工作模式（CV或CC）
• ‌GND‌：地
• ‌DRAIN‌：内部MOSFET漏极，集成高压电流源
• ‌SOURCE‌：内部MOSFET源极，连接电流感应电阻
• ‌SS‌：选择采样时间
• ‌CP‌：输出电缆补偿
• ‌VCC‌：供电电压
  

6. 操作原理

6.1 启动

• 初始由内部高压电流源供电，VCC达到开启阈值后由辅助绕组供电
• VCC低于关闭阈值时，IC停止切换，高压电流源再次开启

6.2 峰值电流控制

• 使用电流感应电阻检测初级电流，达到峰值时MOSFET关闭
• 恒流模式下，峰值电流参考固定；恒压模式下，峰值电流由开关频率调制

6.3 恒压（CV）操作

• 通过FB引脚采样辅助绕组电压，调节输出电压
• 采样时间可定制，以适应不同应用

6.4 恒流（CC）操作

• 峰值电流固定，CC环路控制功能维持次级二极管导通时间与开关周期之间的固定比率

7. 保护功能

• ‌OVP‌：FB电压超过阈值时触发
• ‌OCkP‌：无法每个周期监测FB电压时触发
• ‌SSP‌：达到最大导通时间时触发
• ‌OLP‌：连续128个周期FB电压低于阈值时触发
• ‌OTP‌：结温超过阈值时触发

8. 应用信息

• ‌输入滤波器‌：推荐电容值2μF/W至3μF/W
• ‌输出电容‌：推荐低ESR电容
• ‌输出二极管‌：推荐肖特基二极管，或根据效率要求使用同步整流器
• ‌变压器设计‌：漏感应小于初级电感的5%

9. PCB布局指南

• 最小化输入电容、变压器初级绕组、MOSFET漏极和源极、感应电阻形成的环路面积
• 最小化电压跳变区域，如MOSFET漏极、次级二极管阳极等
• 放置旁路电容尽可能靠近IC
  (MPS)MPQ2483DQ-LF-P 的EDA模型免费下载https://www.elecfans.com/p/e855664119

https://www.elecfans.com/p/e855664119