a.问题:市电波动(±10%~15%)导致芯片供电电压偏移(如CPU的0.8V~1.2V),引发逻辑错误或热失控。
b.UPS方案:
高频机UPS通过IGBT/PWM技术实时校正电压(精度达±1%),
如:将输入240V±30V波动稳定输出至220V±2.2V。
c。芯片获益:避免亚稳态错误(如FPGA时序混乱),延长CMOS晶体管寿命。
问题:电网谐波(THDi>5%)耦合进芯片电源轨,干扰高速信号(如DDR5的6.4Gbps)。
UPS方案:
输出THDi<3%的纯净正弦波,
主动滤波技术抑制3~50次谐波(如150Hz~2.5kHz噪声)。
芯片获益:降低高速SerDes链路误码率(如PCIe 5.0的32GT/s),保障数据完整性。
问题:雷击浪涌(6kV/3kA)或开关瞬态(EFT 4kV)可击穿芯片栅氧层(厚度≈1~2nm)。
UPS方案:
纳秒级响应MOV+气体放电管,
将瞬态电压钳位至<50V(符合IEC 61000-4-5标准)。
芯片获益:防止纳米级晶体管发生介质击穿(TDDB失效)。
问题:5ms断电可导致未保存的晶圆测试数据丢失(单片价值数万美元)。
UPS方案:
<2ms切换至电池供电(双变换式拓扑),
支持SSD缓存紧急写入(如NVMe SSD的3μs延迟)。
芯片获益:保障光刻机、ATE测试机持续运行,避免晶圆报废。
UPS电源(不间断电源)对芯片技术的核心价值在于为精密电子设备提供纯净、稳定、不间断的电力环境!
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