TOLL和DFN封装CoolGaN™ 650V G5第五代氮化镓功率晶体管

新品

TOLL和DFN封装CoolGaN 650V 

G5第五代氮化镓功率晶体管

 

第五代CoolGaN 650V G5氮化镓功率晶体管可在高频工况下显著提升能效，符合业界最高质量标准，助力打造兼具超高效率与卓越可靠性的设计方案。该系列产品现已新增采用底部冷却技术的TOLL和DFN封装，其创新设计可降低各类工业及消费电子应用中的功率损耗。

 

产品型号：

■ IGT65R025D2ATMA1

■ IGT65R035D2ATMA1

■ IGT65R045D2ATMA1

■ IGT65R055D2ATMA1

■ IGT65R140D2ATMA1

■ IGLD65R055D2AUMA1

■ IGLD65R080D2AUMA1

■ IGLD65R110D2AUMA1

■ IGLD65R140D2AUMA1

 

 

产品特点

650V增强型功率晶体管

超快开关速度

无反向恢复电荷

支持反向导通

低栅极电荷与低输出电荷

卓越的换向鲁棒性

动态导通电阻（RDS(on)）极低

高ESD防护能力：2kV人体放电模型（HBM）-1kV元件充电模型（CDM）

底部散热封装

通过JEDEC认证（JESD47/JESD22标准）

应用价值

 

支持高频工作模式

实现系统最高能效

赋能超高功率密度设计

降低BOM成本

 

应用领域

 

电信基础设施AC-DC电源转换

计算和数据存储

电动汽车充电系统

工业电源

光伏

变流器

USB-C转换器与充电器