电子说
在现代电子设备中,过压保护与过流保护已成为设计不可忽视的一环。为了提升产品的抗干扰能力与使用寿命,我们常见的保护器件主要有:
TVS(二极管瞬态抑制器)
ESD保护器件(静电保护)
自恢复保险丝(PPTC)
这三类器件在电路保护中各司其职,但也存在很多选型误区和实际应用中的关键参数。本文将从原理、参数说明、应用场景与选型要点四个方面进行详细解读。
一、TVS管(Transient Voltage Suppressor)
作用
TVS 管主要用于保护电路免受瞬态高压(如雷击、电源浪涌)损坏。
常用参数解释
| 参数 | 说明 |
|---|---|
| 反向击穿电压Vbr | TVS 管开始导通时的电压,必须高于正常工作电压 |
| 钳位电压Vclamp | 在浪涌时,TVS 限制的最大电压,需低于被保护器件最大耐压 |
| 最大峰值脉冲电流Ipp | TVS 管能承受的最大瞬态浪涌电流 |
| 响应时间 | 纳秒级,通常在 <1ns,适合高速应用 |
| 封装形式 | SMA、SMB、SMD、DO-214AC等多种,选型需结合PCB布局与功率等级 |
选型建议
Vbr工作电压 × 1.1~1.2,避免误触发;
Vclamp < 被保护芯片最大耐压;
Ipp 实际可能浪涌电流;
根据通讯接口选择:如USB推荐ESD + TVS组合保护,电源输入推荐高功率TVS。
二、ESD保护器件(Electro-Static Discharge)
作用
用于吸收静电释放能量,防止静电放电(如手指触碰)对芯片或接口造成损伤。
常用参数解释
| 参数 | 说明 |
|---|---|
| 工作电压) | 正常工作时的最大电压 |
| 击穿电压 | 保护器件导通点,需略高于工作电压 |
| 钳位电压 | 静电发生时,器件限制的最大电压 |
| 漏电流 | 正常工作状态下的漏电,越低越好 |
| 封装 | 主要为SOT、DFN、SOD-323、Array封装(多位ESD) |
选型建议
应优先选择**低电容(<1pF)**的ESD器件用于高速接口(如USB3.0、HDMI);
Vbr系统工作电压,Vclamp 芯片绝对耐压;
静电等级建议满足IEC 61000-4-2,±8kV接触放电等级;
可选阵列式多位ESD器件用于并行接口保护(如Type-C、以太网)。
三、自恢复保险丝(PPTC:Polymer Positive Temperature Coefficient)
作用
提供可重复使用的过流保护。当电流超过设定值时,自身发热电阻迅速升高,限流保护;电流恢复后自动复位。
常用参数解释
| 参数 | 说明 |
|---|---|
| 额定工作电压Vmax | 不可超过,否则器件可能烧毁 |
| 保持电流Ihold | 正常状态下能长期承受的最大电流 |
| 触发电流Itrip | 超过该电流即会进入保护状态 |
| 最大电流Imax | 瞬间可承受的极限电流(短路能力) |
| 电阻值Rmin-Rmax | 初始电阻范围,影响压降和发热 |
| 响应时间 | 毫秒级,适合慢速过流保护 |
选型建议
Ihold 应大于实际最大工作电流的 1.2 倍;
工作电压需低于Vmax;
不适用于高速断路场合(如锂电池保护、短路需快速切断);
根据功率与温度环境选合适尺寸封装(如1206、1812等);
实际案例应用简析
| 应用场景 | 推荐保护组合 |
|---|---|
| USB接口 | ESD + TVS(低电容) |
| 电源输入 | TVS + PPTC |
| SIM卡/SD卡接口 | 低电容ESD阵列器件 |
| 以太网RJ45 | 共模电感 + ESD阵列 + GDT(气体放电管) |
| 工业IO口 | TVS(二极管阵列)+ PPTC |
总结:如何合理搭配使用?
TVS抗浪涌、ESD抗静电、PPTC防过流,三者可组合使用形成全方位保护。
合理选型可有效提升抗干扰能力、设备稳定性,并降低售后维护成本。
不要“只装一个TVS就万事大吉”,每种器件的应用范围和保护特性都有明确边界。
建议收藏本文,作为项目设计中的防护器件选型参考。如果你有实际案例需要选型推荐,欢迎在评论区留言,一起讨论~
审核编辑 黄宇
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