TOPCon电池poly-Si层的沉积掺杂工序提效优化

描述

TOPCon技术通过超薄SiOₓ和磷掺杂多晶硅(n⁺-poly-Si)层实现载流子选择性传输,理论效率可达28.7%。然而,poly-Si层厚度存在矛盾:过厚层(>100 nm)增加寄生吸收损失,过薄层(<50 nm)则无法抵抗银浆腐蚀,导致金属化接触失效。本文通过美能在线Poly膜厚测试仪poly-Si层膜厚的测量制备30–100 nm厚度梯度的n⁺-poly-Si层,系统研究厚度对接触电阻率(ρc)复合电流密度(J₀,metal)电池效率的影响,为工业化薄层化工艺提供依据。

n-TOPCon制备工艺

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采用n型Cz-Si晶圆(330.15 cm²),经碱液制绒后,通过LPCVD沉积1.6±0.2 nm SiOₓ层和30~100 nm本征非晶硅(a-Si)层。a-Si层在850°C下结晶为poly-Si,并原位掺磷(POCl₃/O₂/N₂气氛)。随后用5% HF溶液去除磷硅酸盐玻璃(PSG),通过电化学电容-电压(ECV)剖面分析确定掺杂浓度。最后,采用丝网印刷技术在H型栅格上印刷Ag浆料,经730°C烧结形成金属接触晶硅(a) n-TOPCon太阳能电池结构示意图(b) 四探针方阻测试仪原理图

poly-Si层厚度对钝化性能影响

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晶硅

不同厚度n⁺-poly-Si/SiOₓ层的ECV浓度分布(a)及方阻(b)

 

不同厚度n⁺-poly-Si层的ECV剖面显示,表面浓度均高于5×10²⁰ atoms/cm³,但总掺杂量随厚度增加而上升。当厚度从100 nm降至30 nm时,方阻(R□)从45 Ω/□增至57 Ω/□,表明薄层总掺杂量不足导致电阻升高。

晶硅

电池的J₀(a)和PL强度(b)

 

J₀值随厚度变化较小(约0.5 fA/cm²),但30 nm时因磷扩散深度较浅(~15~20 nm),奥格复合增强,J₀略高于100 nm样品。光致发光(PL)测试表明,30 nm层仍能有效钝化,印证SiOₓ层的场效应钝化作用。

金属接触复合机制

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晶硅

不同厚度n⁺-poly-Si层的J₀,measured与金属化比例关系:(a) 30 nm, (b) 50 nm, (c) 70 nm, (d) 100 nm;(e) J₀,metal随厚度变化

 

J₀,metal随poly-Si层减薄显著增加70~30 nm时,J₀,metal从304 fA/cm²升至545 fA/cm²。

晶硅

Ag/poly-Si界面截面SEM图:(a) Ag栅线与n⁺-poly-Si接触界面;(b) Ag块状结构与非均匀界面;(c) poly-Si表面白色Ag析出颗粒

 

SEM分析显示,Ag浆料腐蚀导致薄poly-Si层(<70 nm)界面不均匀,局部区域被穿透,Ag颗粒沉淀加剧复合。厚层(100 nm)因掺杂浓度高且抗腐蚀能力强,J₀,metal最低(26 fA/cm²)。

晶硅

太阳能电池接触电阻率(ρc)随poly-Si厚度变化

 

此外,ρc随厚度增加先降后升70 nm时达最优值(3.9 Ω·cm²),表明厚度需平衡掺杂浓度与Ag腐蚀深度。

I-V 参数优化

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晶硅

n-TOPCon太阳能电池的I-V参数

 

70 nm 厚层电池实现了 25.47% 的转换效率Voc 为 723.5 mV,Jsc 为 42.01 mA/cm²,FF 达 83.8%。尽管 J₀,metal(304 fA/cm²)高于 100 nm 层,但电流增益补偿了 Voc 损失。值得注意的是,厚度小于 40 nm 时Jsc 未因寄生吸收降低而提升,反而因 Ag 腐蚀导致光生电子收集效率下降。

光学与量子效率对比

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晶硅

(a) 70 nm与100 nm样品的量子效率(IQE,实线)和光学反射(虚线);(b) 电流损失机制分析

 

70 nm 厚层的内部量子效率在 < 550 nm 短波长处显著高于 100 nm 层,归因于低总磷掺杂浓度减少了蓝光吸收。同时,薄层的近红外寄生吸收损失降低,使 Jsc 增加 0.14 mA/cm²,但需平衡前表面织构损伤导致的反射率增加。本文研究了n+poly-Si层厚度对n-TOPCon太阳能电池金属化接触性能的影响。结果表明,n+poly-Si层厚度对J₀值影响较小,但对J₀,metal值和接触电阻率有显著影响。最佳的poly-Si层厚度为70 nm,可以在保持低J0,metal值的同时,实现低接触电阻率,从而提高电池转换效率至25.65%。该优化工艺可在光伏行业中广泛应用,以减少加工时间和降低成本。

美能在线膜厚测试仪

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晶硅

 

采用微纳米薄膜光学测量技术,能够实现超广测量范围20nm-2000nm0.5nm超高重复性精度,可对样品进行快速、自动的5点同步扫描

Poly膜厚测试范围20nm-2000nm

快速、自动的5点同步扫描

非接触、无损测量,零碎片率

24小时自动且不停线校准,保证生产效率

 

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