Analog Devices Inc. ADRF5515接收器前端数据手册

Analog Devices Inc. ADRF5515接收器前端是一款双通道、集成射频、前端、多芯片模块，设计用于时分双工 (TDD) 应用。ADRF5515前端采用双通道配置，包含级联两级LNA和大功率硅 SPDT 开关。

数据手册：*附件：Analog Devices Inc. ADRF5515接收器前端数据手册.pdf

ADI ADRF5515接收器前端具有高增益模式和关断模式。在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.0dB的低噪声系数和33dB的高增益（频率为3.6GHz）以及32dBm（典型值）的输出3阶交调截点 (OIP3)。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在36mA的较低电流下提供16dB的增益。在关断模式下，LNA将关闭，器件耗流为12mA。

在发射过程中，当射频输入连接到端电极引脚（TERM-CHA或TERM-CHB）时，该开关提供0.45dB的低插入损耗， 它可处理43dBm长期演进 (LTE) 平均功率（9dB峰值/平均比 (PAR)），以便在整个使用寿命内工作。ADRF5515与10W版本的[ADRF5545A]（工作频率范围为2.4GHz至4.2GHz）引脚兼容。

ADRF5515在射频端口上无需任何内部匹配至50Ω的匹配元件。ANT和TERM端口也在内部交流耦合。因此，仅接收器端口需要外部直流阻断电容器。

ADRF5515的工作频率范围为3.3GHz至4.0GHz，采用符合RoHS指令的紧凑型6mm × 6mm、40引脚LFCSP封装。

特性

• 集成式双通道射频前端
  • 2级LNA和大功率硅SPDT开关
  • 片上偏置和匹配
  • 单电源供电
• 增益
  • 高增益模式：33dB（典型值）
  • 低增益模式：16dB（3.6GHz时典型值）
• 低噪声系数
  • 高增益模式：1.0dB（3.6GHz时典型值）
  • 低增益模式：1.0dB（3.6GHz时典型值）
• 高隔离度
  • RXOUT-CHA和RXOUT-CHB：45dB（典型值）
  • TERM-ChA和TERM-CHB：60dB（典型值）
• 低插入损耗：0.45dB（3.6GHz时典型值）
• 0TCASE = 105°C时具有高功率处理能力
  • 整个生命周期
    • LTE平均功率 (9dB PAR)：43dBm
• 高OIP3（高增益模式）：32dBm（典型值）
• 关断模式和低增益模式（针对LNA）
• 低电源电流
  • 高增益模式：86mA（5V时典型值）
  • 低增益模式：36mA（5V时典型值）
  • 关断模式：12mA（5V时典型值）
• 正逻辑控制
• 6mm × 6mm、40引脚LFCSP封装
• 与10W版本的ADRF5545A引脚兼容

应用

• 无线基础设施
• TDD大规模多输入和多输出以及有源天线系统
• 基于TDD的通信系统

接口原理图