Texas Instruments UCC5350L-Q1单通道隔离式栅极驱动器数据手册

Texas Instruments UCC5350L-Q1单通道隔离式栅极驱动器具有10A峰值拉电流和10A峰值灌电流（典型值），设计用于驱动MOSFET、IGBT和碳化硅 (SiC) MOSFET。UCC5350L-Q1具有米勒钳位选项。钳位引脚将晶体管栅极连接到输出侧的内部场效应管 (FET)，以防止米勒电流引起的错误导通。Texas Instruments UCC5350L-Q1采用14mm宽体SOIC-8 (DWL) 封装，可支持高达5kVRMS 的隔离电压。输入侧与输出侧采用SiO2~~ 电容式隔离技术隔离，隔离栅寿命超过40年。UCC5350L-Q1非常适合用于驱动高压牵引逆变器和车载充电器等应用中的IGBT或MOSFET。与光耦合器相比，该器件具有更低的零件间偏移、更低的传播延迟、更高的工作温度和更高的共模瞬变抗扰度 (CMTI)。

数据手册：*附件：Texas Instruments UCC5350L-Q1单通道隔离式栅极驱动器数据手册.pdf

特性

• 5kVRMS单通道隔离式栅极驱动器
• 符合汽车应用类AEC-Q100标准，工作温度为1级
• 米勒钳位，12V UVLO
• 峰值电流驱动强度：±10A（典型值）
• 输入电源电压：3V至15V
• 驱动器电源电压：高达30V
• 最低CMTI：100V/ns
• 输入引脚具有负5V处理能力
• 8引脚DWL（15.7mm爬电距离）
• 100ns（最大值）传播延迟和小于25ns的零件间偏移
• 隔离栅寿命> 40年
• 安全相关认证（计划中）
  • UL 1577元件认可计划
  • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
  • CQC – GB4943.1
• CMOS输入
• 工作结温范围：-40°C至+150°C

应用

• 车载充电器
• 电动汽车牵引逆变器
• 直流充电站
• HVAC
• 加热器

功能框图