Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaN功率FET半桥数据手册

Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaN功率FET半桥简化了设计，减少了元件数量，减少了电路板空间。通过在6mmx8mm QFN封装中集成半桥功率FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器实现了简化。与传统的电流检测电阻器相比，低侧电流检测仿真降低了功耗。它允许低侧散热焊盘连接到冷却PCB电源接地。

数据手册：*附件：Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaN功率FET半桥数据手册.pdf

高侧GaN功率FET可通过低侧参考栅极驱动引脚（INH）或高侧参考栅极驱动引脚（GDH）进行控制。在具有挑战性的电源开关环境中，高侧栅极驱动信号电平转换器将INH引脚信号可靠地传输到高侧栅极驱动器。智能开关GaN自举FET没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并具有零反向恢复电荷。

Texas Instruments LMG2652支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行，具有低静态电流和快速启动时间。保护特性包括FET导通联锁、欠压闭锁（UVLO）、逐周期电流限制和过热关断。

特性

• 650 V GaN功率FET半桥
• 140mΩ低侧和高侧GaN FET
• 集成栅极驱动器，具有<100ns低传播延迟
• 电流检测仿真，具有高带宽和高精度
• 低侧基准（INH）和高侧基准（GDH）高侧栅极驱动引脚
• 低侧（INL）/高侧（INH）栅极驱动联锁
• 高侧（INH）栅极驱动信号电平转换器
• 智能开关自举二极管功能
• 高侧启动：< 8μs
• 低侧/高侧逐周期过流保护
• 过温保护
• AUX空闲静态电流：250µA
• 辅助待机静态电流：50µA
• BST空闲静态电流：70µA
• 8mm×6mm QFN封装，带双散热焊盘

应用

• 交流/直流适配器和充电器
• 交流/直流USB壁式电源
• 交流/直流辅助电源
• 移动壁式充电器设计
• USB壁式电源插座

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