Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驱动器的GaN FET数据手册

Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驱动器的氮化镓 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驱动器，带高侧电平转换器和自举功能。两个LGM3100器件可用来组成一个半桥，无需外部电平转换器。GaN FET和驱动器元件具有内置电源轨欠压 锁定 (UVLO) 保护和内部自举电源电压箝位功能，可防止过驱动 (>5.4V)。Texas Instruments LMG3100R0x具有低功率和改进的用户接口。LMG3100R017是高频、高效应用的理想解决方案，其应用包括降压-升压转换器、LLC转换器、太阳能逆变器、电信、电机驱动器、电动工具和D类音频放大器。

数据手册：*附件：Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驱动器的GaN FET数据手册.pdf

特性

• 集成1.7mΩ ([LMG3100R017]或4.4mΩGaN FET/驱动器
• 额定电压：100V连续电压，120V脉冲电压
• 集成的高侧电平转换和自举功能
• 两个LMG3100可组成一个半桥，无需外部电平转换器
• 5V外部偏置电源
• 支持3.3V和5V输入逻辑电平
• 高压摆率开关、低振铃
• 开关能力高达10MHz的栅极驱动器
• 内部自举电源电压钳位可防止GaN FET过驱
• 电源轨欠压锁定保护
• 低功耗
• 封装经过优化，便于PCB布局
• 裸露顶部QFN封装，用于顶部冷却
• 底部大面积裸露焊盘，用于底部冷却
• 零反向恢复

应用

• 降压、升压和降压-升压转换器
• LLC转换器
• 太阳能逆变器
• 电信和服务器电源
• 电机驱动器
• 电动工具
• D类音频放大器

规范

• 额定电压：90V连续电压
• 额定电压：100V脉冲电压
• 5V外部偏置电源
• 输入逻辑电平：3.3V至5V
• 尺寸：6.5 mmx4 mmx0.89 mm

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