优势
采用独立于边界条件的降阶模型(BCI-ROM)加速执行瞬态热仿真,同时采用Package Creator轻松创建电子封装热模型。
独立于边界条件的降阶模型(BCI-ROM)
瞬态热仿真在现代电子产品开发中相当热门,可用于评估不同功率负载的性能、验证控制策略,探索热特性的稳定性。现代电子设计需要考虑多个瞬态电源负载、各种电源控制策略和设备的各种预期工作条件。

BCI-ROM的空间温度响应与详细模型相同。
独立于边界条件的降阶模型(BCI-ROM)是从Simcenter FLOEFD 3D热模型生成的快速准确的降阶模型。它们在各种热环境中均可保持预测的高精度,求解速度提高了多个等级。

简洁的工作流支持将BCI-ROM导出为矩阵、SPICE子电路或VHDL-AMS模型。
设备离散计算模型是个必须求解的n个联立线性方程组。ROM提取过程旨在推导降阶r方程组,该方程组会在原始n方程集的指定容差范围内生成时空热结果。如果r<

BCI-ROM 对复杂功率曲线的响应与详细模型相同。
这种方法提供了提取热电阻的替代方案—基于热电容器的动态紧凑热模型,该模型的表面积分割有限,通常仅适用于单个热源封装。BCI-ROM技术在解算有任意数量热源的线性传导问题时,精度达到全3D传导模型相同级别,但速度要快得多。
FANTASTIC方法从数理上保证了精度。从Simcenter FLOEFD模型中提取BCI-ROM时,用户将所需的精度设置为可接受的相对误差,传热系数范围亦是如此。
BCI-ROM能以下列格式导出:
Matrices:用于在MathWorks MATLAB或GNU Octave等工具中求解
VHDL-AMS:用于电路仿真工具(如PartQuest Explore或Xpedition AMS)中的电热建模
FMU:用于通过支持FMI(功能模型接口)的工具执行系统仿真,例如Simcenter Amesim和Simcenter Flomaster

使用从Simcenter FLOEFD生成并以FMU格式导入的逆变器BCI-ROM的Simcenter Amesim车辆模型(右)。
应用示例包括:功率电子和电气化:
数字电子学:

以VHDL-AMS格式导出的BCI-ROM,用于汽车ADAS摄像头模块的PartQuest Explore电路仿真模型。
Package Creator
Simcenter FLOEFD Package Creator赋能您在几分钟内生成基于3D CAD几何体的清晰详细的电子封装热模型。

选择16种常见的芯片封装模板。
您可以通过基于分步式向导的界面,从常见的芯片封装系列列表中快速生成详细模型。可将其直接导入Simcenter FLOEFD,使用前无需清理。半导体公司和封装公司可以使用Package Creator(封装建模工具)为其客户创建模型,而系统集成商可以使用Package Creator创建封装的热模型,这些模型无法通过供应链获得。
支持的封装系列边孔封装:
球栅阵列:
功率分立封装:

可进行详细的封装定义。
将带详细项目定义的封装导入Simcenter FLOEFD。


PCB Generator在工程数据库中的双轴热导率定义。基于向导的工作流Package Creator基于向导的工作流程可帮助您创建封装–只需选择封装样式,输入名称、热功率和可选的裸片尺寸(如已知)即可。系统会自动为所有其他参数配置默认值,但您可以更改它们。该向导可以访问构成所选封装系列结构的各种几何特征,例如裸片、键合线、裸片贴装等,这些特征可以按照不同的细化级别执行建模。例如,裸片可以是单个功率,也可以是指定为功率表格或从文件导入的功率图。详细模型热校准使用Simcenter Micred T3STER或Simcenter Micred Power Tester硬件进行热特性分析,可捕获封装IC和功率半导体模块的瞬态响应。使用Simcenter FLOEFD Package Creator生成的详细热模型可依据测量数据进行自动校准。这是通过自动调整模型参数来实现的,因此整体模型响应与被测封装的响应相匹配,从而确保瞬态结温精度超过99%。(参见Simcenter FLOEFD T3STER自动校准模块)材料库该模块还自带材料库,可以对其进行扩展。可以克隆和修改材料,或添加新材料。材料可以具有各向同性、双轴或正交各向异性导热系数,所有选项都支持通过表格定义的温度函数的导热系数,从而实现充分的灵活性。PCB生成器PCB发生器可用于获取双轴热导率值。通过分析和理解PCB的结构,我们可以推导出其热导率,并且还能够获取构成PCB的特定导体和介电材料的性能参数。
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