CCD传感器的静电防护指南

 

CCD(Charge-Coupled Device，电荷耦合器件)是利用光电效应与电荷转移机制实现光信号到电信号转换的核心器件。其工作流程为：光敏二极管阵列捕获光子→光电效应生成电子-空穴对→MOS电容势阱存储电荷→时钟脉冲驱动电荷逐单元转移→输出放大器转换为电压信号→模数转换生成数字图像。

对比CMOS的核心优势与应用领域

尽管如今多数民用场景被 CMOS 替代，但在对画质、灵敏度、噪声要求严苛的专业领域仍具不可替代性：

 

科学研究：天文望远镜成像、粒子物理探测器、光谱分析设备;

医疗领域：X 射线成像设备、荧光显微镜、乳腺摄影机;

工业检测：高精度机器视觉(如半导体晶圆缺陷检测、汽车零部件尺寸测量);

航天军工：卫星遥感相机、红外夜视设备、导弹制导系统。

 

                CCD传感器电路结构图

CCD 传感器静电防护方案

CCD 传感器在高精度工业视觉、航天设备等场景中，静电浪涌主要通过以下路径入侵：电源端口：工业电源(如 24V)易受雷击感应浪涌;数据接口：高速图像传输接口(如 Camera Link、LVDS);触发信号线：外部控制信号输入端口。

1、输入电源防护

24V 工业电源需兼顾浪涌与过流保护：

 

浪涌防护：推荐 TVS 器件 LM1K24CA(封装 SMB，VC=35V，残压低)，保护水平达 2KV;过流防护：SMD1812 系列 PTC(6-60V，0.1-3.5A)，响应速度快，可重复使用;反极性保护：肖特基二极管 SK56C(60V/5A)，降低电源接反时的损坏风险。

2、高速数据接口防护

Camera Link 接口(传输速率最高 2.38Gbps)：ESD 防护：采用 ULC3304P10LV ESD 阵列(寄生电容 < 0.5pF)，满足 IEC61000-4-2 等级 4(接触放电 8kV，空气放电 15kV)，保证高频信号完整性;共模干扰抑制：串联共模扼流圈，减少数据线串扰。

LVDS接口提供655Mbit/s的传输速度，本方案采用集成器件防护,寄生电容<1pf, 保证信号完整性，满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电8kV，空气放电15kV。

3、电源轨静电防护

CCD 传感器通常需多组电源轨：

模拟电源(3.3V)：ESD0321CW(DFN0603 封装，30pF 电容，21A 泄放电流);

数字电源(1.8V/1.2V)：ESD1821C(DFN0603，25pF，18A)，降低电源纹波与静电干扰。

雷卯针对CCD传感器常见端口防护推荐料号
类型	品牌	型号	描述	封装	应用
ESD	Leiditech	ESD1821C	1.8V,Bi,25PF,18A	DFN0603	1.8V VCC电源静电防护
ESD	Leiditech	ESD0321CW	3.3V,Bi,30PF,21A	DFN0603	3.3V VCC电源口防静电
ESD	Leiditech	ULC0524P	5V,Uni,0.8PF,5A	DFN2510P10	LVDS接口防静电
ESD	Leiditech	ULC3304P10LV	3.3V,Uni,0.28PF,3A	DFN2510P10	MIPI高速接口防静电
ESD	Leiditech	ULC0342C13	3.3V,Bi,0.13PF,3A	DFN1006	MIPI高速接口防静电
ESD	Leiditech	SM712	7/12V,Bi,45PF,17A	SOT-23	RS485静电防护
ESD	Leiditech	SM05	5V,Uni,300PF,12A	SOT-23	RS485供电口静电防护
ESD	Leiditech	SD12C	12V,Bi,45PF,15A	SOD-323	RS232静电防护
ESD	Leiditech	SR05W	5V.Uni,3PF,20A	SOT-143	USB2.0接口静电防护
ESD	Leiditech	PESD0542U005	5V.Bi,0.05PF	DFN1006	射频天线静电防护
PTC	Leiditech	SMD1812系列	6-60V,0.1-3.5A	SMD1812	24V电源过流防护
TVS	Leiditech	LM1K24CA	24V，Vc=35V	SMB	24V电源雷击浪涌防护
Schottky	Leiditech	SK56C	60V 5A	SMC	24V电源反极性防护

 

雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。