Texas Instruments TSDxxC/TSDxxC-Q1双向TVS二极管特性/应用/框图

Texas Instruments TSDxxC/TSDxxC-Q1双向TVS二极管设计用于钳位ESD和浪涌等有害瞬态电压。TSDxxC/TSDxxC-Q1器件的额定ESD冲击消散值高达 ±30kV（接触和气隙放电），超过IEC 61000-4-2国际标准（4级）中规定的最高水平。

TSDxxC/TSDxxC-Q1结合了强大的钳位性能和低电容，是用于在多种应用中保护数据和电源线的理想TVS二极管。TSDxxC/TSDxxC-Q1系列采用行业标准引线SOD-323封装，易于焊接。Texas Instruments TSDxxC-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100认证。

特性

• IEC 61000-4-2 ESD保护
  • ±30kV接触放电
  • ±30 kV气隙放电
• IEC 61000-4-5浪涌保护：6.5A至30A (8/20μs)
• 低IO电容：< 7pF（典型值）
• 超低漏电流：10nA（最大值）
• 工业温度范围：-55°C至+150°C
• 行业标准SOD-323引线式封装 (2.65 mm × 1.3 mm)

应用

• I/O保护
• 电力线保护
• USB VBUS
• 电器
• 医疗和保健
• 零售自动化

功能框图