Texas Instruments TMAG5233平面内霍尔效应开关数据手册

Texas Instruments TMAG5233平面内霍尔效应开关设计用于替代TMR、AMR和磁簧开关，在成本要求较高的应用中使用。TMAG5233具有全极磁响应，可对南北磁极作出反应。当通过传感器灵敏度轴的外加通量密度超过操作点阈值 (BOP) 时，设备输出低电压。输出保持低电平，直到通量密度降至释放点阈值 (BRP) 以下，然后设备输出高电压。

数据手册：*附件：Texas Instruments TMAG5233平面内霍尔效应开关数据手册.pdf

Texas Instruments TMAG5233采用内部占空比，可最大限度地降低功耗。其推挽式 (CMOS) 输出无需外部上拉电阻器，采用行业标准SOT-23封装。

特性

• -40°C至85°C的电源电压范围为1.65V至5.5V
• 平面内灵敏度轴
• 全极磁极检测(±)
• 输出类型为推挽式 (CMOS)
• 低电平 (V OL ) 的有源输出状态（当B>BOP时）
• 磁性工作点 (B OP )：±3mT
• 磁性释放点 (B RP )：±2.2mT
• 占空比运行，可最大限度地降低ICC
  • 5Hz：0.55µA（预览）
  • 40Hz：2.7µA
• 3引脚SOT-23（VCC 、GND、OUT）行业标准封装

应用

• 门窗传感器
• 电器门打开/关闭
• 电表篡改检测
• 电子智能锁
• 烟雾探测器按钮
• 食品处理器配件检测
• 笔记本电脑

功能框图

磁通密度方向