TPS5450 是一款高输出电流 PWM 转换器,集成了低电阻、高压侧 N 沟道 MOSFET。具有所列特性的基板包括一个高性能电压误差放大器,可在瞬态条件下提供严格的电压调节精度;欠压锁定电路,用于防止在输入电压达到 5.5 V 之前启动;内部设置的慢启动电路以限制浪涌电流;以及一个电压前馈电路,以改善瞬态响应。使用 ENA 引脚时,关断电源电流通常降至 18 μA。其他特性包括高电平有效使能、过流限制、过压保护和热关断。为了降低设计复杂性和外部元件数量,TPS5450反馈回路进行了内部补偿。
TPS5450器件采用耐热增强型 8 引脚 SOIC PowerPAD 封装。TI 提供评估模块和软件工具,以帮助实现高性能电源设计,以满足紧迫的设备开发周期。
*附件:tps5450.pdf
特性
- 宽输入电压范围:5.5 V 至 36 V
- 高达 5A 的连续(峰值 6A)输出电流
- 通过 110mΩ 集成 MOSFET 开关实现超过 90% 的高效率
- 宽输出电压范围:可调至 1.22 V,初始精度为 1.5%
- 内部补偿最大限度地减少了外部零件数量
- 固定 500kHz 开关频率,适用于小尺寸滤波器
- 18μA 关断电源电流
- 通过输入电压前馈改善线路调节和瞬态响应
- 系统受到过流限制、过压保护和热关断保护
- –40°C 至 125°C 工作结温范围
- 采用小型热增强型 8 引脚 SOIC PowerPAD™ 封装
参数

方框图

1. 核心特性
- 输入电压范围:5.5V至36V,支持12V/24V分布式电源系统。
- 输出能力:5A连续电流(峰值6A),输出电压可调低至1.22V(精度±1.5%)。
- 高效设计:集成110mΩ MOSFET,效率>90%,500kHz固定开关频率减小滤波器尺寸。
- 保护功能:过流限制、过压保护、热关断及-40°C至125°C工作温度范围。
2. 关键应用场景
- 高密度负载点稳压器、LCD/等离子显示器电源、电池充电器。
3. 内部架构与功能
- 集成模块:高边N沟道MOSFET、电压误差放大器、欠压锁定(UVLO)、慢启动电路。
- 控制机制:电压前馈改善瞬态响应,内部补偿简化外部元件需求。
- 保护机制:
- 过流保护:逐周期限流+打嗝模式(hiccup)。
- 过压保护:触发阈值112.5% VREF,强制关闭高边MOSFET。
- 热关断:结温超162°C时关闭,降温14°C后自动恢复。
4. 封装与设计支持
- 封装:8引脚HSOP PowerPAD™(4.89mm×3.90mm),需焊接散热焊盘。
- 设计工具:TI提供评估模块和软件工具辅助快速开发。
5. 典型应用电路
- 示例设计:12V输入转5V/5A输出,采用15μH电感和330μF输出电容(ESR<35mΩ)。
- 布局要点:
- 输入电容靠近VIN引脚以减小环路面积。
- 优化PH节点布线降低寄生电容,二极管/电感需贴近器件。
6. 性能曲线
- 效率达95%(12V输入,5V输出),负载调整率±0.3%(0-5A)。
- 输出纹波<30mV,瞬态响应(1.25A→3.75A阶跃)稳定时间约1ms。
7. 版本更新
- 2022年7月修订(Rev E):优化文档结构,新增布局指南与热计算章节。
附件说明
- 完整数据表包含引脚定义、电气特性、典型应用电路及热阻参数(如RθJA=42.3°C/W)。