Texas Instruments TPS1213-Q1智能高侧驱动器具有低IQ 和3.5V至40V的宽工作电压范围。45V高侧驱动器专为12V系统设计而开发。该器件可承受低于-40V的负电源电压并保护负载。此外,该驱动器具有两个栅极驱动通道,主功率路径具备1.69A的拉电流能力和2A的灌电流能力,低功耗路径具备165µA的拉电流能力和2A的灌电流能力,用于驱动MOSFET。
数据手册:*附件:Texas Instruments TPS1213-Q1智能高侧驱动器数据手册.pdf
在LPM = Low的低功耗模式下,低功耗路径FET保持导通,主FET关断。在此模式下,该器件采用35µA(典型值)的低IQ 。自动加载唤醒阈值进入激活状态,可通过ISCP/LWU引脚进行修改。EN/UVLO为低电平时,IQ 下降至1μA(典型值)。
TI TPS1213-Q1智能高侧驱动器利用MOSFET VDS 检测或外部RSNS 电阻器提供可调节的短路保护。可配置自动重试和锁存故障行为。该器件还具备内部短路比较器的诊断功能,可通过对SCP_TEST引脚的外部控制实现。
TPS12130-Q1采用19引脚VSSOP封装,符合AEC-Q100汽车应用标准。


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