瑞乐半导体——TC Wafer晶圆测温系统的技术创新与未来趋势热电偶测温

智能传感集成代表了TC Wafer系统的未来方向。

新一代系统将不再是单纯的数据采集工具，而是具备边缘计算能力的智能感知节点：

1. 嵌入式温度均匀性指数实时计算，在工艺异常时立即触发报警
2. 基于机器学习算法的温度预测，提前调整设备参数防止超差

3.将实时温度数据与设备虚拟模型同步，实现工艺闭环控制

瑞乐半导体TC Wafer晶圆测温系统

多参数融合监测是另一重要趋势。现代半导体工艺需要同时控制温度、压力、气体流量等多参数耦合：

1. 在TC Wafer中集成微型压力传感器，同步监测热边界层状态
2. 增加振动传感单元，诊断设备机械异常导致的温度波动（如泵振动引起的热扰动）

热-电联合分析：结合晶圆电阻温度检测器（RTD）数据，提供更全面的热特性评估

材料与结构创新也在持续推进：

1. 柔性基板应用：采用聚酰亚胺柔性电路代替传统硅晶圆，适应弯曲表面测温需求（如先进封装中的翘曲晶圆）；
2. 超高温传感器：开发铂铑合金或碳化硅热电偶，扩展测量上限至1600°C，满足SiC外延生长等工艺需求；
3. 自校准技术：内置参考结点和标准电阻，实现现场自动校准，减少设备下线时间；

TC Wafer技术瓶颈与发展方向

技术瓶颈	现有方案局限	未来发展方向
微污染风险	属涂层防护增加热容	非金属传感器、全密封设计
空间分辨率	最小结点直径0.127mm	EMS纳米热电堆、SThM技
无线供电	3小时连续工作	能量收集、低功耗芯片
多场耦合干扰	被动屏蔽效果有限	多传感器融合、AI补偿算法

国产化产品进程值得关注。中国TC Wafer技术起步较晚，核心部件（如超细热电偶线）仍依赖进口。但近年来，以瑞乐半导体为代表的企业已取得显著突破：

1. 开发出自主可控的多通道数据采集系统，采样率达100kS/S；
2. 实现300mm（12英寸0晶圆上68点测温的高密度配置；
3. 推出真空专用馈通组件，耐真空度达10⁻⁷Torr；

 

随着半导体制造精度不断提升，温度作为核心工艺参数，其监测需求将更加严苛。TC Wafer晶圆测温系统将持续演进，从被动测量工具转变为主动工艺控制的关键环节，推动半导体制造迈向“感知-分析-控制”的智能新时代。