过渡金属二硫族化合物(TMDs)因其独特的激子效应、高折射率和显著的光学各向异性,在纳米光子学领域展现出巨大潜力。本研究采用Flexfilm全光谱椭偏仪结合机械剥离技术,系统测量了多种多层TMD薄膜材料的光学常数。研究表明,半导体性TMD(如MoTe₂)表现出极高的折射率(n∥≈4.84)和强双折射(Δn≈1.54),而金属性TMD(如TaS₂)在近红外波段显示出双曲型光学响应。这些结果为未来全TMD纳米光子器件的设计提供了重要的数据支持,并指出了各向异性光调控的新方向。
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实验方法:机械剥离与椭偏技术
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机械剥离的多层TMDs基底上的光谱椭偏测量示意图
样品制备: 采用机械剥离法(Scotch-tape method)从高质量块体晶体制备多层TMD样品。为提高测量精度,本文优化了干法转移工艺:
厚度通过表面轮廓仪校准(范围:50 nm - 数微米),确保全光谱椭偏对各向异性的敏感性。
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椭偏测量
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用于椭偏测量的剥离 TMD 薄片的示例性图像
使用全光谱椭偏仪仪,在300-1700 nm波段(步长1 nm)和20°–75°入射角下测量Mueller矩阵。针对不同类型的TMD,采用定制化分析模型:
数据分析中严格考虑表面粗糙度、厚度不均和仪器带宽效应,均方误差(MSE)<10验证了模型的准确性。
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半导体TMDs:高折射率与强各向异性
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单轴半导体 TMD 薄片的介电常数:(a) MoS₂,(b) MoSe₂,(c) MoTe₂,(d) WS₂,和 (e) WSe₂
关键数据:
各向异性:

1550 nm处常见TMDs的折射率与传统半导体对比:(a) 面内折射率, (b) 面外折射率, (c) 双折射率Δn=n∥−n⊥半导体TMD在1550 nm的光学参数对比

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金属TMDs:双曲行为与等离子体特性
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单轴金属TMD薄片的介电常数:(a) TaS₂, (b) TaSe₂, (c) NbSe₂
单轴金属:

双轴材料介电常数:(a) 半导体ReS₂, (b) 金属WTe₂
双轴金属WTe₂:
本研究通过宽波段(300-1700 nm)全光谱椭偏仪测量,系统地分析了多层过渡金属二硫族化合物(TMDs)的光学常数(折射率、介电函数、各向异性等)。研究包含半导体性(WS₂/WSe₂/MoS₂等)、面内各向异性(ReS₂/WTe₂)和金属性(TaS₂/TaSe₂等)TMDs,揭示了其高折射率(MoTe₂达~4.84)、强光学各向异性(Δn≈1.54)和近红外低损耗等特性,并发现金属性TMD在1000-1300 nm范围内存在双曲型光学响应潜力。
Flexfilm全光谱椭偏仪
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全光谱椭偏仪拥有高灵敏度探测单元和光谱椭偏仪分析软件,专门用于测量和分析光伏领域中单层或多层纳米薄膜的层构参数(如厚度)和物理参数(如折射率n、消光系数k)
本研究通过Flexfilm全光谱椭偏仪系统建立了10种TMDs薄膜的光学数据库,揭示了高折射率(MoTe₂, n4.84)、强双折射(Δn1.54)及金属TMDs的双曲响应特性,为光伏与纳米光子学薄膜分析提供关键技术支撑。原文出处:《Optical Constants of Several Multilayer Transition Metal Dichalcogenides Measured by Spectroscopic Ellipsometry in the 300−1700 nm Range: High Index, Anisotropy, and Hyperbolicity》
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