半导体分立器件测试的对象与分类、测试参数，测试设备的分类与测试能力

半导体分立器件测试是对二极管、晶体管、晶闸管等独立功能半导体器件的性能参数进行系统性检测的过程，旨在评估其电气特性、可靠性和适用性。以下是主要测试内容与方法的总结：

1. ‌测试对象与分类‌

半导体分立器件主要包括：

‌二极管‌（如整流二极管、肖特基二极管）

‌三极管‌（双极型晶体管、场效应管）

‌晶闸管‌（可控硅）

‌功率器件‌（IGBT、MOSFET）‌

2. ‌核心测试参数‌

‌电气特性‌：正向/反向电压、漏电流、导通电阻‌

‌动态性能‌：开关时间、反向恢复时间（二极管）、跨导（FET）‌

‌热特性‌：温度系数、热阻‌5

‌极限参数‌：击穿电压、最大电流、功率耗散‌

3. ‌测试方法‌

‌静态测试‌：使用源表（SMU）测量I-V曲线、阈值电压等‌

‌动态测试‌：脉冲电源模拟开关动作，测试上升/下降时间‌

‌四线制测试‌：消除导线电阻影响，提升精度（如Vgsth测试）‌

4. ‌应用领域‌

‌研发验证‌：器件选型、失效分析‌

‌生产质检‌：来料检验（IQC）、老化测试‌

‌教育与科研‌：高校实验室、参数数据库建立‌

半导体分立器件测试设备是针对二极管、晶体管、功率器件等独立半导体元件的性能与可靠性进行检测的专用仪器系统，其核心功能涵盖电气参数测量、动态特性分析及可靠性验证。以下是主要测试设备类型及其技术特点：

1. ‌核心测试设备类型‌

‌分立器件测试仪‌

支持高压（最高3300V）、大电流（2500A）测试，适用于IGBT、SiC/GaN等功率器件‌

集成四象限源表功能，可同步完成电压施加与电流测量（精度达0.1fA）‌

典型参数：主极电压2000V、控制极电压20V、测试速度5ms/参数‌

‌双脉冲测试平台‌

用于功率器件的动态特性分析，如开关时间、反向恢复特性‌

需搭配高速示波器（带宽≥500MHz）捕捉ns级瞬态波形‌

‌探针台与测试座‌

探针台用于晶圆级测试，定位精度达0.001mm，支持多通道并行测试‌

测试座需满足高电流（1000A以上）接触阻抗≤1mΩ，兼容T-247DFNSMD等封装‌

2. ‌关键技术参数与能力‌

‌静态参数测试‌：阈值电压、导通电阻（Rds(on)）、漏电流等，采用开尔文四线制消除接触电阻影响‌

‌动态参数测试‌：开关时间、反向恢复时间，需脉冲宽度≤10ns的测试信号‌

‌可靠性测试‌：高温反偏（HTRB）、温度循环（-65~200℃）等，符合AEC-Q101标准‌

3. ‌行业应用场景‌

‌研发验证‌：通过四线制开尔文连接法优化驱动电路设计‌

‌量产筛选‌：多工位老化板（如64工位）并行测试，提升效率‌

‌车规/工业级认证‌：需满足JEDEC、AEC-Q101等标准‌

SC2010半导体分立器件测试系统是一款国产高端晶体管参数测试设备，完美替代美国STI5000系列测试机。该系统采用ATE自动测试技术，可精准生成功率器件的I-V曲线，支持自定义功能测试方案，提供实时数显结果。广泛应用于失效分析、来料检验（IQC）及高校实验室等领域。通过高速数据采集（典型测试时间6~20ms）和逐点建图技术，确保曲线数据准确可靠，上百个数据点可在数秒内完成测试，并支持Excel等格式导出分析。

系统采用USB/RS232接口连接电脑，通过直观的人机界面实现全流程操作，测试数据可保存为Excel/Word格式。配备过电保护及门极保护适配器，集成自诊断测试代码，实时监测设备状态，保障测试结果可靠性。

审核编辑 黄宇