Texas Instruments ISOTMP35/ISOTMP35-Q1隔离型温度传感器数据手册

Texas Instruments ISOTMP35/ISOTMP35-Q1隔离型温度传感器设计有模拟输出，温度响应时间 <2 秒。该传感器 结合了 坚固耐用的集成隔离栅，具有3000VRMS 隔离耐压和500VRMS 隔离工作电压。这种集成使传感器能够与高压热源共置，而无需 昂贵的隔离电路，从而提供更高的精度和更快的热响应。ISOTMP35/ISOTMP35-Q1传感器在2.3V至5.5V的非隔离电源电压范围内工作，可轻松集成到高压平面上没有次级稳压电源的应用中。ISOTMP35-Q1温度传感器通过了汽车应用类AEC-Q100认证。典型应用包括：SiC/IGBT PowerFET温度监测、HEV/EV电池管理系统 (BMS)、HEV/EV车载充电器 (OBC) 和无线充电器、HEV/EV DC/DC转换器，以及动力总成温度传感器。

数据手册：*附件：Texas Instruments ISOTMP35，ISOTMP35-Q1隔离型温度传感器数据手册.pdf

ISOTMP35/ISOTMP35-Q1温度传感器的集成隔离栅符合UL 1577要求。该传感器采用表面贴装封装（7引脚SOIC），提供从热源到嵌入式热传感器的良好热流。因而能够最大限度地减少热质量，提供更精确的热源测量，并通过减少由于制造和组装而产生的机械变化来提高系统设计裕度。

特性

• 坚固耐用的集成隔离栅：
  • 隔离耐压：3000VRMS
  • 隔离工作电压：500VRMS
• 通过AEC-Q100认证，结果如下：
  • 温度等级0：-40°C至150°C（环境工作温度范围）
  • 器件HBM ESD分类等级：2
  • 器件CDM ESD分类等级：C5
• 可提供文档，协助功能安全系统设计
• 隔离栅寿命：>50年
• 温度传感器精度：
  • ±0.5 °C（在 25 °C 下的典型值）
  • 0°C至70°C范围内为±1.5°C（最大值）
  • 40°C至±2.0 °C范围内为150 °C（最大值）
• 工作电源电压范围：2.3 V至5.5 V
• 正斜率传感器增益：10mV/°C，失调电压为500mV（0°C时）
• 快速热响应：<2秒
• 输出短路保护
• 低功耗：9µA（典型值）
• DFQ（SOIC-7）封装
• 安全相关认证（计划中）：
  • 3kVRMS 隔离持续1分钟，符合UL 1577标准

应用

• 碳化硅（SiC）PowerFET温度监测
• 绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) PowerFET温度监控
• HEV/ev BMS
• HEV/ev OBC和无线充电器
• HEV/EV DC/DC转换器
• HEV/EV逆变器与电机控制
• 动力总成温度传感器

功能框图

典型应用图