近期,华为旗下海思技术有限公司正式进军碳化硅功率器件领域,推出了两款1200V工规SiC单管产品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4,专门面向工业高温、高压场景场景。

图片来源:海思官网截图
#海思 此次推出的两款1200V SiC单管均采用TO-247-4封装,具备优良的导通和快速开关特性,能够在高温高压环境下保持稳定性能。具体而言,ASO1K2H035M1T4在25°C时导通电阻为35mΩ,175°C时为57mΩ;而ASO1K2H020M1T4在25°C时导通电阻为20mΩ,175°C时为30mΩ。此外,两款器件的最高结温均为175°C,且在高温下仍能保持较低的导通电阻,确保了在高温环境下的工作可靠性。
1200V SIC碳化硅 TO-247单管耐高温绝缘绝缘导热垫片有哪些要求?
1200V SiC(碳化硅)TO-247-4 单管作为高频、高功率密度的功率器件,广泛应用于新能源汽车逆变器、工业电源、充电桩等场景。其工作时结温可高达 175℃以上,且需承受 1200V 高压,因此配套的耐高温绝缘导热垫片需同时满足高绝缘、高导热、耐高温、适配封装特性四大核心要求,具体特性要求如下:
高击穿电压
1200V SiC 单管的工作电压高,垫片需具备优异的电气绝缘能力,避免高压击穿导致短路。
高体积电阻率
体积电阻率需≥10¹⁴ Ω・cm(常温下),高温(150℃)下≥10¹³ Ω・cm,防止因漏电导致的能量损耗或安全风险。
耐电晕与电弧
长期工作在高频开关状态下,需具备抗电晕能力,避免局部电场集中产生电弧,要求符合 IEC 60243 标准中 “耐电弧性≥120s”。
高导热系数
SiC 单管功率密度高(可达 100W/cm² 以上),热量集中,垫片需降低接触热阻(器件与散热器之间)。
低热阻稳定性
高温(150-200℃)和长期压缩(安装压力下)环境中,导热系数衰减率需≤10%(1000 小时老化测试后),避免因材料老化导致散热效率下降。
宽温工作范围
需覆盖 SiC 器件的全工况温度:
抗热冲击性能
经历 - 55℃→200℃循环冲击(≥1000 次)后,不出现开裂、分层,绝缘和导热性能保持稳定(击穿电压下降≤15%,导热系数下降≤10%),适应车辆、户外设备的剧烈温度波动。
优异的压缩回弹性
TO-247-4 封装的散热底座为平面结构(直径约 10-15mm),且安装时需施加一定压力(通常 50-100 psi)确保贴合。垫片需满足:
尺寸与厚度适配
机械强度
抗撕裂强度≥8 kN/m,抗穿刺性≥30 N,防止安装时因工具或引脚剐蹭导致破损(一旦破损可能引发绝缘失效)。
耐化学腐蚀
不与 SiC 器件外壳(通常为铜或镀镍金属)、散热器(铝或铝合金)发生化学反应,且耐受冷却介质(如硅油、防冻液)、灰尘、湿气的侵蚀(如 85℃/85% RH 环境下 1000 小时,无霉变、无溶胀)。
阻燃与环保
1200V SiC TO-247 单管的绝缘导热垫片需在 “高压绝缘 - 高效导热 - 高温稳定 - 机械适配” 四大维度达到平衡,核心是在 150℃以上环境中同时保持≥3.0 W/(m・K) 的导热系数和≥20kV/mm 的击穿电压,并通过压缩回弹设计确保长期紧密贴合。这类垫片通常以硅胶为基材,填充氮化硼(BN)、氧化铝(Al₂O₃)等导热绝缘填料,是 SiC 器件发挥高频、高效优势的关键辅助材料。尤其适用于新能源、工业自动化等对变频器可靠性要求严苛的领域。
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