传统封装与晶圆级封装的区别

文章来源：半导体与物理

原文作者：jjfly686

本文主要讲述芯片制造中的从传统封装到晶圆级封装。  

在芯片制造的最后环节，裸片（Die）需要穿上“防护铠甲”——既要抵抗物理损伤和化学腐蚀，又要连接外部电路，还要解决散热问题。封装工艺的进化核心，是如何更高效地将硅片转化为功能芯片。

一、传统封装：先切割，后穿衣

核心流程：Wafer → Dicing → Packaging

晶圆切割（Dicing）

用金刚石刀片或激光将晶圆切成独立裸片

芯片粘接（Die Attach）

银胶或DAF薄膜（Die Attach Film）将裸片固定在基板

互联工艺

金线键合（Wire Bonding）：用25μm金线（比头发细1/3）连接芯片焊盘与基板

模塑封装（Molding）

环氧树脂模塑料（EMC）注入模具，高温固化形成保护壳

晶圆级封装（WLP）：先穿衣，后切割

核心流程：Wafer → Packaging → Dicing

晶圆级加工

重布线层（RDL）：在整片晶圆上光刻出铜导线，重新排布焊盘位置

植球（Solder Bumping）：通过电镀在焊盘上制作锡球或铜柱凸块

整片封装

整片晶圆涂覆保护层（PI/BCB介电材料）；部分工艺增加硅通孔（TSV）实现3D堆叠

切割分离

完成所有封装步骤后切割晶圆，单片芯片直接可用

技术对比

特性	传统封装	晶圆级封装（WLP）
流程顺序	先切后封	先封后切
处理对象	单个芯片	整片晶圆（批量处理）
厚度	0.8-1.2mm	0.3-0.5mm（减薄60%）
I/O密度	≤500 pin/cm²	≥2000 pin/cm²
生产速度	每小时数千颗	每小时数万颗
典型应用	家电MCU、功率器件	手机射频芯片、传感器、MEMS