Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级数据手册

Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级，集成了栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。LMG2100R044在半桥配置中集成了两个100V GaN FET，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET为功率转换提供了显著优势，例如零反向恢复和最小输入电容CISS和输出电容COSS。

数据手册：*附件：Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级数据手册.pdf

TI LMG2100R044功率级安装在完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R044采用5.5mm x 4.5mm x 0.89mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。

特性

• 集成4.4mΩ半桥GaN FET和驱动器
• 90V连续、100V脉冲额定电压
• 封装经过优化，便于PCB布局
• 高压摆率开关，低振铃
• 5V外部偏置电源
• 支持3.3V和5V输入逻辑电平
• 栅极驱动器支持高达10MHz开关
• 低功耗
• 出色的传播延迟（33ns典型值）和匹配（2ns典型值）
• 内部自举电源电压钳位可防止GaN FET过驱动
• 电源轨欠压，用于闭锁保护
• 裸露顶部QFN封装，用于顶部冷却
• 较大的GND焊盘，用于底部冷却

应用

• 降压、升压、降压-升压转换器
• LLC转换器
• 太阳能逆变器
• 电信和服务器电源
• 电机驱动器
• 电动工具
• D类音频放大器

简化框图

传播延迟与传播不匹配测量