TPS51386同步降压转换器技术解析与应用指南

描述

Texas Instruments TPS51386同步降压式转换器是具有自适应导通时间D-CAP3控制模式的单片同步降压式转换器。该器件具有4.5V至24V输入电压范围、0.6V至5.5V输出电压范围、8A连续电流 (I OUT ) 和84μA低静态电流。TPS51386集成了低RDS(on) 功率MOSFET,不仅效率高,而且使用方便,外部元件数量最少,适用于空间有限的电源系统。该同步降压转换器具有精确的基准电压、快速负载瞬态响应、用于提高轻负载效率的自动跳跃模式运行、开关频率大于25kHz的Out-of-Audio™(OOA)轻负载运行操作。

数据手册:*附件:Texas Instruments TPS51386同步降压式转换器数据手册.pdf

TPS51386转换器提供全面保护,如过压保护(OVP)、欠压保护(UVP)、过流保护(OCP)、过热保护(OTP)和欠压锁定保护(UVLO)。典型应用包括笔记本电脑、个人电脑、计算机、超级本、平板电脑、电视、STB、负载点(POL)和分布式电源系统。

特性

  • 4.5 V 到 24 V 的输入电压范围
  • 输出电压范围:0.6 V至5.5 V
  • 集成22 mΩ和11 mΩ MOSFET
  • 支持8A连续电流 (I OUT )
  • D-CAP3™控制模式,用于快速瞬态响应
  • 低静态电流:84 µA
  • 25°C时基准电压(0.6V)精度为±1%
  • 在–40°C至125°C温度范围内基准电压(0.6V)精度为±1.5%
  • 开关频率:600kHz
  • 支持POSCAP和所有MLCC输出电容器
  • 具有在轻负载条件下可选的PSM和Out-of-Audio™(OOA)模式,支持动态更改
  • 可调节软启动和内部1ms软启动
  • 支持大负荷运行
  • 电源正常状态指示器,可监测输出电压
  • 锁存输出OV和UV保护
  • 非锁存UVLO和OT保护
  • 逐周期过流保护
  • 内置输出放电功能
  • 小型2 mm × 3 mm HotRod™ QFN封装

方框图

同步降压转换器

典型应用电路

同步降压转换器

TPS51386同步降压转换器技术解析与应用指南

一、核心特性

  • 超低静态电流‌:典型值仅84μA
  • 双工作模式‌:支持Power Save Mode(PSM)和Out-of-Audio™(OOA)模式
  • 高精度参考电压‌:0.6V±1%(25°C时)
  • 固定开关频率‌:600kHz
  • 全面保护功能‌:锁存式OVP/UVP保护、非锁存UVLO/OTP保护
  • 内置输出放电‌:160Ω放电电阻

二、关键参数详解

1. 电气特性

  • 输入电压范围‌:4.5V-24V(绝对最大值28V)
  • 输出电压范围‌:0.6V-5.5V
  • 输出电流能力‌:8A连续电流
  • 导通电阻‌:
    • 高边MOSFET:22mΩ(典型值@25°C)
    • 低边MOSFET:11mΩ(典型值@25°C)
  • UVLO阈值‌:4.2V(上升)/3.65V(下降)

2. 开关特性

  • 开关频率‌:600kHz(固定)
  • 最小导通时间‌:65ns(典型值)
  • 最小关断时间‌:190ns(典型值)
  • 传播延迟‌:33ns(典型值)

3. 保护特性

  • 过流保护(OCP) ‌:9.5A-12.5A谷值电流限制
  • 过压保护(OVP) ‌:120%VOUT阈值(锁存)
  • 欠压保护(UVP) ‌:60%VOUT阈值(锁存)
  • 热关断(OTP) ‌:165°C触发(20°C迟滞)

三、功能模式解析

1. D-CAP3控制模式

TPS51386采用自适应导通时间PWM控制器,具有以下优势:

  • 无需外部补偿网络
  • 支持超低ESR陶瓷电容
  • 快速瞬态响应(典型值33ns传播延迟)
  • 良好的线性和负载调整率

2. 工作模式选择

通过MODE引脚配置两种工作模式:

PSM模式(MODE=低/悬空) ‌:

  • 轻载时自动进入跳频模式
  • 最高效率达95%(VIN=12V时)
  • 适用于电池供电设备

OOA模式(MODE=高) ‌:

  • 最小开关频率>25kHz
  • 避免可闻噪声
  • 适合音频应用场景

四、典型应用设计

1. 笔记本电源设计示例

设计要求‌:

  • 输入电压:19.5V(适配器)
  • 输出电压:5.1V
  • 输出电流:8A

关键元件选型‌:

  • 电感‌:1.5μH(饱和电流>15A)
  • 输出电容‌:2×22μF MLCC(X5R/X7R)
  • 反馈电阻‌:Rupper=147kΩ,Rlower=20kΩ
  • 自举电容‌:0.1μF/10V

2. 热设计考虑

器件采用HotRod™ QFN封装,热参数:

  • 结到环境热阻θJA:72.7°C/W(四层板)
  • 最大结温:150°C
  • 功率耗散计算:PD = (VIN-VOUT)×IOUT×效率

对于19.5V转5.1V/8A应用(效率90%):
PD = (19.5-5.1)×8×0.1 = 11.52W
建议使用散热过孔阵列和强制风冷

五、PCB布局指南

  1. 电源路径布局‌:
    • VIN和PGND走线宽度≥1mm
    • 输入电容尽量靠近VIN引脚
    • SW节点面积最小化
  2. 信号路径布局‌:
    • FB走线远离SW节点
    • AGND单点连接至PGND
    • MODE/SS走线避免平行布置
  3. 热优化布局‌:
    • 在PGND焊盘下方放置多个过孔
    • 内层设置完整地平面
    • 顶层保留足够铜箔面积

六、应用场景

  1. 移动计算设备‌:
    • 笔记本/超极本主板电源
    • 平板电脑POL电源
  2. 消费电子‌:
    • 智能电视/机顶盒
    • 游戏机电源模块
  3. 工业应用‌:
    • 分布式电源系统
    • 工控设备辅助电源
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