CSD95372AQ5M NexFET™ 功率级是一个 高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。这 产品集成驱动IC和NexFET技术,完成功率级开关 功能。驱动IC内置可选二极管仿真功能,可实现DCM 运行以提高轻载效率。这种组合产生大电流、高电流 在 5 × 6 mm 外形的小型封装中具有效率和高速开关能力。它还 集成温度传感功能,简化系统设计并提高精度。在 此外,PCB 封装已经过优化,有助于缩短设计时间并简化 完成整体系统设计。
*附件:csd95372aq5m.pdf
特性
- 60 A 连续工作电流能力
- 30 A 时系统效率为 92.4%
- 30 A 时 3.3 W 的超低功耗损耗
- 高频工作(高达 2 MHz)
- 高密度 - SON 5 × 6 mm 封装
- 超低电感封装
- 系统优化的PCB封装
- 兼容 3.3 V 和 5 V PWM 信号
- 带 FCCM 的二极管仿真模式
- 模拟温度输出
- 输入电压高达 16 V
- 三态 PWM 输入
- 集成 Bootstrap 开关
- 优化的射穿保护死区时间
- 符合 RoHS 标准 – 无铅端子电镀
- 无卤素
参数

方框图

1. 产品概述
CSD95372AQ5M是德州仪器(TI)推出的高密度同步降压功率级解决方案,集成驱动IC与NexFET技术,专为高效率、高电流的同步Buck转换器设计。核心特点包括:
- 高性能参数:60A连续工作电流,92.4%系统效率(30A时),超低功率损耗(3.3W@30A),支持高达2MHz开关频率。
- 紧凑封装:5×6mm SON封装,超低电感设计,优化PCB布局以简化系统设计。
- 功能集成:内置温度传感、二极管仿真模式(FCCM可调)、三态PWM输入、集成自举开关等。
2. 关键特性
- 电气性能:输入电压支持16V,兼容3.3V/5V PWM信号,集成死区时间优化防止直通。
- 热管理:模拟温度输出(TAO)实时监测芯片温度,过温保护自动关断并拉高TAO至3.3V。
- 多相支持:TAO引脚支持多器件并联,自动报告最高温度,简化多相系统设计。
3. 典型应用
- 高频/大电流降压转换器(如CPU供电VRM)
- 桌面/服务器VR11.x/VR12.x核心电压调节
- 内存与显卡电源管理
4. 设计支持
- 功率损耗曲线:提供不同工况下的实测数据(如12V输入/1.2V输出/500kHz时损耗3.3W@30A)。
- 安全操作区(SOA) :基于PCB布局与散热条件的电流-温度边界指导。
- 标准化调整曲线:支持用户根据实际参数(频率、电压、电感等)计算损耗与SOA修正值。
5. 布局与调试建议
- 关键元件布局:输入电容需紧贴VIN/PGND引脚,自举电容(0.1µF)靠近BOOT引脚。
- 热设计:利用GND平面与散热过孔(推荐10mil孔径)优化热传导。
- 温度监测:TAO引脚需并联1nF电容滤波,计算公式:TJ(°C) = (TAO(mV) - 400)/8。
6. 封装与订购信息
- 封装类型:12引脚LSON-CLIP(5×6mm),支持卷带包装(2500片/卷)。
- 环保认证:符合RoHS标准,无卤素。