‌TPS66120/TPS66121 集成Sink路径与VBUS LDO稳压器数据手册总结

TPS6612x 包含集成的 4V 至 22V 灌电源路径。电源路径支持过热和反向电流保护。VBUS具有过压保护，其电平由可选的外部电阻分压器设置。如果不需要过压保护，可以通过将 OVP 端子接地来禁用它。TPS6612x 支持指示过热事件的故障引脚。

TPS6612x 系列还支持高压 VBUS LDO 稳压器（每种器件类型 3.3V 或 5V），可用于在电池没电条件下运行时为器件和其他系统组件供电。TPS66120调节至 3.3 V，TPS66121调节至 5 V。
*附件：tps66120.pdf

特性

• 集成 22 mΩ（典型值）、32V 容差 NFET 4V 至 22V 灌电流路径，高达 5 A
• 内置软启动以限制浪涌电流
• 集成高压VBUS LDO稳压器（每种器件类型3.3V或5.0V）
• 通过引脚配置可选的 VBUS 过压保护。
• 系统电源和 VBUS 欠压保护
• 过温保护
• 反向电流保护
• 具有去毛刺故障报告功能的故障引脚
• 占地面积小的 WCSP 封装，无需 HDI。

参数

方框图

‌1. 产品概述‌

• ‌型号差异‌：TPS66120输出3.3V，TPS66121输出5V，均采用28引脚WCSP封装（尺寸1.606mm x 2.806mm）。
• ‌核心功能‌：集成22mΩ（典型值）、32V耐压NFET的Sink路径（支持4V-22V/5A），内置软启动、反向电流保护（RCP）、VBUS过压保护（OVP）及温度保护。
• ‌VBUS LDO‌：高压LDO稳压器，支持死电池条件下为系统供电（TPS66120:3.3V，TPS66121:5V，最大30mA）。

‌2. 关键特性‌

• ‌电源管理‌：
  • 支持VIN或VBUS双电源输入，自动切换电源路径。
  • VIN欠压锁定（UVLO）：TPS66120（2.45V-2.75V），TPS66121（3.89V-4.40V）。
• ‌保护机制‌：
  • OVP可通过外部电阻分压配置（如R1=432kΩ/R2=20kΩ时阈值22.6V），或禁用（OVP引脚接地）。
  • 热关断：PPHV路径独立保护（128°C-172°C触发），全局保护（140°C-178°C触发）。

‌3. 应用场景‌

• 台式机/笔记本主板、Chromebook、扩展坞、Type-C适配器等USB PD设备。
• ‌典型设计‌：
  • 单端口Type-C方案（如图17），支持5V/3A至20V/3A供电协议。
  • 死电池模式下，VBUS LDO为PD控制器供电，充电后切换至VIN电源。

‌4. 设计要点‌

• ‌布局建议‌：
  • PPHV/VBUS走线需短而宽，VLDO需就近放置4.7μF陶瓷电容。
  • 可选TVS2200保护VBUS端口（钳位电压28.3V）。
• ‌电容选择‌：
  • VBUS总电容≤10μF（PD规范），PPHV系统侧负载电容建议47-100μF。

‌5. 状态与故障管理‌

• ‌工作模式‌：通过EN0引脚控制（DISABLED/SNK/SNK FAULT状态）。
• ‌故障指示‌：FLT引脚低电平报告OVP或过热事件，持续至少4ms。

‌6. 机械与订购信息‌

• 封装：DSBGA（YBG），卷带包装（3000颗/卷）。
• 工作温度：-10°C至85°C。