Texas Instruments SN74LV8T165/SN74LV8T165-Q1并行加载8位移位寄存器是并行或串行输入、串行输出8位移位寄存器。这些器件有两种操作模式：加载数据和移位数据，由SH/LD输入控制。输出电平支持1.8V、2.5V、3.3V和5V CMOS电平，并以电源电压（V CC ）为基准。

数据手册：*附件：Texas Instruments SN74LV8T165，SN74LV8T165-Q1 8位移位寄存器数据手册.pdf

输入设计有较低阈值电路，以支持较低电压CMOS输入的升压转换（例如，1.2V输入到1.8V输出，或1.8V输入到3.3V输出）。此外，可耐受5V电压的输入引脚支持降压转换（如3.3V至2.5V输出）。SN74LV8T165-EP器件采用金键合线，工作温度范围为-55至+105°C，采用锡铅引线涂层。Texas Instruments SN74LV8T165-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100认证。

特性

• 1.8V到5.5V的宽操作范围
• 单电源电压转换器
  • 上行转换
    • 1.2V至1.8V
    • 1.5V至2.5V
    • 1.8V-3.3V
    • 3.3V至5.0V
  • 降压转换
    • 5.0V、3.3V、2.5V至1.8V
    • 5.0V、3.3V至2.5V
    • 5.0V至 3.3V
• 5.5V容限输入引脚
• 支持标准引脚排列
• 高达150Mbps，带5V或3.3V VCC
• 具有已知上电状态的锁存逻辑
• 闭锁性能超过250mA，符合JESD 17标准

功能框图

SN74LV8T165/SN74LV8T165-Q1 8位移位寄存器技术解析

一、产品核心特性

SN74LV8T165是德州仪器(TI)推出的高性能8位并行输入/串行输出移位寄存器，具有以下突出特性：

‌电压兼容性‌：

• 宽工作电压范围：1.8V至5.5V
• 集成电压电平转换功能
  • 支持1.2V→1.8V、1.8V→3.3V等上转换
  • 支持5.0V→3.3V、3.3V→2.5V等下转换
• 5.5V容限输入引脚

‌性能参数‌：

• 最高时钟频率：110MHz(5V供电时)
• 传输速率：最高150Mbps(5V或3.3V供电)
• 典型传播延迟：9ns(5V供电时)
• 静态电流：1μA(待机模式)

‌封装选项‌：

• 16引脚TSSOP(PW)：5mm×6.4mm
• 16引脚WQFN(BQB)：3.5mm×2.5mm(带可湿润侧翼)

二、功能架构分析

1. 工作模式控制

‌SH/LD引脚功能‌：

• 低电平：并行加载模式(激活A-H输入)
• 高电平：移位模式(激活SER输入)

‌时钟管理‌：

• CLK上升沿触发移位操作
• CLK INH高电平时禁止时钟
• CLK和CLK INH功能可互换

2. 数据通路设计

• ‌并行输入‌：8位独立数据通道(A-H)
• ‌串行接口‌：SER输入/QH输出(互补输出QH)
• ‌内部结构‌：8级主从触发器链式结构

3. 保护机制

• 集成输入/输出钳位二极管
• 锁存性能超过250mA(JESD 17标准)
• 150°C热关断保护

三、典型应用场景

1. 微控制器扩展

• GPIO端口扩展
• 键盘矩阵扫描
• 传感器数据采集

2. 数据通信

• 串行-并行转换
• 数据缓冲
• 协议转换接口

3. 工业控制

• PLC输入模块
• 数字信号隔离
• 设备状态监控

四、关键设计指南

1. 电源设计要点

参数	要求	备注
VCC范围	1.65-5.5V	需稳定在±10%
去耦电容	0.1μF+1μF	紧邻VCC引脚
上电斜率	6μs/V-100ms/V	确保可靠POR

2. PCB布局建议

1. ‌信号完整性‌：
   • 时钟线长度≤25mm
   • 并行输入等长匹配±1mm
   • 避免90°拐角
2. ‌热设计‌：
   • WQFN封装热焊盘需接GND
   • 推荐4×0.3mm过孔阵列
   • θJA(TSSOP)=131.2°C/W
3. ‌未用引脚处理‌：
   • 未用输入接VCC或GND
   • 未用输出保持悬空
   • 推荐10kΩ上下拉电阻

五、性能实测数据

1. 时序特性(5V供电)

• ‌最大时钟频率‌：110MHz
• ‌ 建立时间(tSU) ‌：1.4ns(SER→CLK)
• ‌ 保持时间(tH) ‌：0ns
• ‌ 传播延迟(tpd) ‌：9ns(CLK→QH)

2. 驱动能力

供电电压	VOH(min)	VOL(max)	IOH/IOL
1.8V	1.45V	0.4V	±8mA
3.3V	2.4V	0.4V	±25mA
5.0V	3.08V	0.3V	±25mA