FMD芯片在充电器中的应用与技术解析

测量FMD芯片（假设为充电管理或电源管理芯片）的好坏需要结合硬件检测、功能测试和协议验证。以下是具体方法，分步骤说明：

1. 目测检查

物理损坏
观察芯片表面是否有烧焦、裂纹、鼓包或焊点脱落（尤其是输入/输出引脚）。

外围元件检查
检查与芯片连接的电容、电阻、电感是否损坏（如电容漏液、电感烧毁）。

2. 基本电压测试

输入电压检测
用万用表测量芯片输入引脚（如VIN）电压是否正常（例如：220V AC整流后的300V DC，或12V DC输入）。

输出电压检测
测试芯片输出端（如VOUT）是否有目标电压（如5V/9V/12V）。若输出电压为0或波动异常，芯片可能损坏。

基准电压（VREF）
部分芯片有基准电压引脚（如1.2V/2.5V），若偏离正常值，说明内部电路故障。

3. 协议握手验证

快充协议触发测试
使用USB协议测试仪（如Power-Z KT002）连接充电器，检测是否能正确触发PD、QC等协议，并输出协议标称的电压/电流（如20V/5A）。

负载能力测试
接入电子负载仪，逐步增加电流，观察输出电压是否稳定（如标称20V/5A时，电压跌落不超过5%）。

4. 发热与保护机制测试

温度检测
在空载和满载状态下，用红外测温枪测量芯片温度。异常高温（如超过85°C）可能表明内部短路或效率低下。

保护功能触发
人为制造过压、过流或短路，测试芯片是否触发保护（如自动切断输出，并在故障解除后恢复）。

5. 动态波形分析（专业设备）

示波器检测
观察芯片关键引脚波形（如PWM控制信号、同步整流信号）：

若PWM占空比异常或无信号，可能是芯片内部控制器失效。

同步整流波形混乱可能导致效率下降。

开关频率验证
高频开关芯片（如GaN器件）需验证开关频率是否正常（例如65kHz或MHz级）。

6. 替代法与对比测试

替换芯片
若外围电路正常，可更换同型号芯片验证是否恢复功能。

对比参数
将疑似故障芯片与正常芯片对比测量引脚电阻（断电状态）或电压（通电状态）。

7. 常见故障现象

完全无输出：芯片供电异常或内部短路。

输出电压不稳：反馈环路损坏（如FB引脚外围电阻失效）。

无法触发快充：协议通信模块故障（如CC1/CC2引脚损坏）。

异常发热：内部MOS管击穿或驱动电路失效。

注意事项

安全操作：高压测试时断电操作，避免触电。

防静电措施：芯片敏感，需佩戴防静电手环。

外围电路排除：先确认外围元件（如电容、电感、二极管）正常，避免误判芯片问题。

通过以上步骤，可系统性判断FMD芯片是否损坏。若缺乏专业设备，优先通过输出电压、协议握手和温度检测进行初步诊断，复杂故障建议交由专业维修人员处理。

审核编辑 黄宇