LM4132/LM4132-Q1 精密低压差电压基准芯片总结

LM4132 系列精密基准电压源的性能可与最佳产品相媲美 激光微调双极基准，但采用经济高效的 CMOS 技术。关键在于 突破是使用 EEPROM 寄存器校正曲率、温度系数 （tempco），以及 CMOS 带隙架构的精度，允许封装级编程 克服装配班次。模具组装过程中电压精度和温度系数的变化 塑料封装限制了用激光技术修剪的参考的准确性。

与其他LDO基准电压源不同，LM4132可提供高达20 mA的电流，并且不需要 输出电容器或缓冲放大器。这些优点以及 SOT-23 封装是 对于空间关键型应用很重要。
*附件：lm4132-q1.pdf

串联基准电压源的功耗低于分流基准电压源，因为它们确实如此 在空载条件下不必空闲最大可能的负载电流。这个优势， 低静态电流 （60 μA） 和低压差 （400 mV） 使 LM4132 成为以下用途的理想选择 电池供电的解决方案。

LM4132 有五个等级（A、B、C、D 和 E）可供选择，具有更大的灵活性。这 最佳等级器件 （A） 的初始精度为 0.05%，具有指定的温度系数 10 ppm/°C 或更低，而最低等级器件 （E） 的初始精度为 0.5%，并且 温度系数为 30 ppm/°C。

特性

• 符合汽车应用标准
• AEC-Q100 符合以下标准：
  • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 设备 HBM ESD 分类 2 级
• 输出初始电压精度：0.05%
• 低温系数：10 ppm/°C
• 低电源电流：60 μA
• 使能引脚允许3 μA关断模式
• 20mA 输出电流
• 电压选项：1.8 V、2.048 V、2.5 V、3 V、3.3 V、4.096 V
• 提供定制电压选项（1.8 V 至 4.096 V）
• V在V 范围 裁判 + 400 mV 至 5.5 V（10 mA 时）
• 使用低ESR陶瓷电容器稳定

参数

方框图

产品概述

LM4132系列是德州仪器(TI)推出的精密CMOS电压基准芯片，具有以下核心特性：

1. ‌高精度‌：初始输出电压精度达0.05%(A级)，温度系数低至10 ppm/°C
2. ‌低功耗‌：静态电流仅60μA，关断模式下仅3μA
3. ‌宽电压范围‌：输入电压范围VREF + 400mV至5.5V(10mA负载时)
4. ‌输出能力‌：可提供20mA输出电流
5. ‌封装‌：小型SOT-23(5引脚)封装，尺寸2.90mm × 1.60mm

关键特性

电气特性

• ‌输出电压选项‌：1.8V、2.048V、2.5V、3V、3.3V、4.096V
• ‌温度范围‌：-40°C至+125°C(汽车级AEC-Q100认证)
• ‌长期稳定性‌：1000小时稳定性典型值50ppm
• ‌热迟滞‌：典型值75ppm(-40°C至125°C循环后)
• ‌噪声性能‌：0.1Hz-10Hz噪声电压175-350μVpp(不同电压版本)

功能特点

• 集成使能(EN)引脚，支持低功耗关断模式
• 无需输出电容即可稳定工作(最大支持10μF负载电容)
• 采用EEPROM修调技术，克服封装应力导致的精度偏移
• 提供五种精度等级(A-E)，满足不同应用需求

应用领域

• 仪器仪表和过程控制
• 测试设备
• 数据采集系统
• 基站设备
• 伺服系统
• 便携式电池供电设备
• 汽车和工业系统
• 精密稳压器
• 电池充电器
• 通信设备
• 医疗设备

设计要点

1. ‌输入电容‌：必须使用至少0.1μF陶瓷电容(X5R/X7R)
2. ‌输出电容‌：可选(最大10μF)，可改善负载瞬态响应
3. ‌布局建议‌：
   • 靠近PCB边缘安装以减少机械应力
   • 可采用U型槽隔离技术降低PCB应力影响
   • 旁路电容应尽量靠近器件引脚
4. ‌热管理‌：
   • SOT-23封装热阻：164.1°C/W(结到环境)
   • 最大功耗需根据环境温度降额

产品系列

文档详细列出了LM4132和汽车级LM4132-Q1的各种型号，包括不同输出电压、精度等级和封装选项，以及对应的订货型号和包装信息。