Texas Instruments LMG3612单通道GaN FET提供650V漏源电压和120mΩ漏源电阻,以及专为开关模式电源应用设计的集成驱动器。该 IC 将 GaN FET、栅极驱动器和保护功能 集成在8mm x 5.3mm QFN封装中。LMG3612 GaN FET具有低输出电容电荷,可减少电源转换器开关所需的时间和能量。该晶体管的内部栅极驱动器可调节驱动电压以获得最优GaN FET导通电阻。内部栅极驱动器可降低总栅极电感和GaN FET共源电感,从而提高开关性能,包括共模瞬态抗扰度 (CMTI)。LMG3612 GaN FET支持转换器轻负载效率要求和突发模式操作,具有55µA低静态电流和快速启动时间。
数据手册:*附件:Texas Instruments LMG3612单通道GaN FET数据手册.pdf
GaN FET保护功能包括欠压锁定 (UVLO) 和通过开漏FLT引脚报告的过温保护。典型应用包括AC/DC适配器和充电器、电视电源、移动墙壁电源插座、辅助电源、电视SMPS电源和LED电源。


LMG3612是德州仪器(TI)推出的集成驱动器的650V 120mΩ GaN功率FET,专为开关电源应用设计。该器件通过将GaN FET和栅极驱动器集成在8mm×5.3mm QFN封装中,显著简化了设计并减少了元件数量。
关键特性:
| 参数 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VDS | FET关断时漏源电压 | - | 650 | V |
| VDS(surge) | 浪涌条件下漏源电压 | - | 720 | V |
| ID(cnts) | FET导通时连续漏极电流 | - | 4 | A |
| TJ | 工作结温 | -40 | 150 | °C |
| 参数 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| RDS(on) | VIN=5V, ID=4.2A, TJ=25°C | 120 | mΩ |
| IDSS | VDS=650V, TJ=25°C | 3 | μA |
| QOSS | - | 28.3 | nC |
| UVLO正阈值 | - | 9.3 | V |
关键引脚说明:
通过RDRV引脚电阻可配置四种导通斜率:
| 设置 | 电阻值(kΩ) | 典型斜率(V/ns) |
|---|---|---|
| 0(最慢) | 120 | 17 |
| 1 | 47 | 42 |
| 2 | 22 | 65 |
| 3(最快) | 5.6 | 125 |
280W LLC转换器设计:
| 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|
| θJA | 26.2 | °C/W |
| θJC(bot) | 1.31 | °C/W |
LMG3612特别适合需要高开关频率和高功率密度的应用场景,其创新的集成驱动设计和全面的保护功能可显著提高系统可靠性并简化设计流程。开发人员可通过灵活配置RDRV电阻优化EMI性能和开关损耗的平衡。
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