Texas Instruments SN74LV165B-EP 8位移位寄存器是一款并行负载8位移位寄存器，设计工作VCC 范围为2V至5.5V。当给器件加上时钟时，数据向串行输出QH移位。并行输入访问每级的方法是在移位/负载( SH/LD) 输入以低电平使能八个单独的直接数据输入。SN74LV165B-EP器件具有时钟抑制功能和互补串行输出 QH。 该器件完全适用于采用Ioff 的局部掉电应用。在器件断电时，Ioff 电路可禁用输出，防止有害电流回流至器件。Texas Instruments SN74LV14B-EP器件采用金键合线，具有-55°C至+105°C温度范围，采用锡铅引线表面处理。

数据手册:*附件：Texas Instruments SN74LV165B-EP 8位移位寄存器数据手册.pdf

特性

• 工作VCC 范围：2V至5.5V
• 在5V电压条件下，最大tpd 为10.5ns
• 所有端口均支持混合模式电压操作
• Ioff 支持局部掉电模式运行
• 闭锁性能超过250 mA，符合JESD 17标准
• 环境工作温度范围：-55°C至+125°C
• 支持国防、航空航天和医疗应用
  • 受控基线
  • 唯一组装/测试厂
  • 唯一制造厂
  • 延长的产品寿命周期
  • 产品可追溯性

功能框图

德州仪器SN74LV165B-EP 8位移位寄存器技术解析与应用指南

一、产品概述

德州仪器(TI)的SN74LV165B-EP是一款增强型8位并行输入/串行输出移位寄存器，专为2V至5.5V宽电压范围应用设计。该器件具有以下核心特性：

• ‌宽电压工作范围‌：2V至5.5V VCC操作
• ‌高性能‌：5V供电时最大传播延迟仅10.5ns
• ‌低功耗设计‌：
  • 支持Ioff部分掉电模式
  • 静态电流极低
• ‌工业级可靠性‌：
  • 锁定性能超过250mA(JESD 17标准)
  • 工作温度范围-55°C至+125°C
• ‌军工级品质‌：
  • 受控基线生产流程
  • 单一组装和测试站点
  • 延长产品生命周期支持

二、关键技术与性能参数

2.1 电气特性

参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
工作电压	-	2	-	5.5	V
高电平输出电压	VCC=4.5V, IOH=-12mA	3.8	-	-	V
低电平输出电压	VCC=4.5V, IOL=12mA	-	-	0.55	V
输入漏电流	VI=5.5V或GND	-	±1	-	μA
静态电流	VI=VCC或GND, IO=0	-	20	-	μA
输入电容	VI=VCC或GND	-	1.7	-	pF

2.2 时序特性(5V供电)

参数	条件	25°C	-55°C至125°C	单位
时钟脉冲宽度	CLK高或低	4ns	5ns	ns
建立时间	数据在SH/LD↑前	5ns	5ns	ns
保持时间	并行数据在SH/LD↑后	1ns	1ns	ns
最大时钟频率	CL=15pF	110MHz	90MHz	MHz

三、功能描述

3.1 工作模式

SN74LV165B-EP提供三种基本工作模式：

1. ‌并行加载模式‌：
   • SH/LD置低时激活
   • 8位并行数据(A-H)被锁存到内部寄存器
   • 时钟状态不影响加载操作
2. ‌串行移位模式‌：
   • SH/LD保持高电平
   • 每个时钟上升沿将数据向QH方向移位
   • SER输入数据移入第一位寄存器
3. ‌时钟抑制模式‌：
   • CLK INH高电平冻结时钟操作
   • 保持当前寄存器状态不变

3.2 关键功能特点

• ‌平衡CMOS推挽输出‌：提供对称的灌电流和拉电流能力
• ‌ 部分掉电保护(Ioff) ‌：当VCC=0V时禁用所有输出，防止反向电流
• ‌负压钳位二极管‌：所有输入/输出端集成保护二极管
• ‌抗锁存设计‌：通过JESD 17标准测试(>250mA)

四、典型应用设计

‌设计要点‌：

• 将8个离散输入扩展为单线串行接口
• SH/LD低电平脉冲加载当前输入状态
• 通过8个时钟周期读取全部数据位
• 支持菊花链连接多个器件实现更多输入扩展

4.2 工业传感器接口

‌优势特性‌：

• 宽电压兼容各类传感器输出
• 并行加载实现同步采样
• 串行输出简化长距离布线
• -55°C至+125°C宽温工作

五、布局与热管理

5.1 PCB布局指南

1. ‌电源去耦‌：
   • VCC引脚就近放置0.1μF陶瓷电容
   • 多器件系统建议每个VCC加0.01-0.022μF电容
2. ‌信号完整性‌：
   • 时钟线远离高速信号
   • SH/LD控制信号走线尽量短
   • 避免90°转弯(建议45°或圆弧走线)
3. ‌热设计‌：
   • 使用厚铜PCB(≥2oz)
   • 增加散热过孔阵列
   • 大电流应用时考虑敷铜面积

5.2 封装热参数(TSSOP-16)

• θJA=131.2°C/W
• θJB=75.8°C/W
• ψJT=21.0°C/W

六、应用领域

1. ‌工业控制系统‌：
   • PLC输入模块
   • 按钮/开关状态采集
   • 传感器接口
2. ‌汽车电子‌：
   • 车载按键矩阵扫描
   • 车身控制模块
   • 电池管理系统
3. ‌消费电子‌：
   • 智能家居控制面板
   • 游戏控制器输入扩展