LM4132系列 0.05% 20 ppm/°C 漂移精密串联基准电压源，带关断使能功能技术手册

LM4132 系列精密基准电压源的性能可与最佳产品相媲美 激光微调双极基准，但采用经济高效的 CMOS 技术。关键在于 突破是使用 EEPROM 寄存器校正曲率、温度系数 （tempco），以及 CMOS 带隙架构的精度，允许封装级编程 克服装配班次。模具组装过程中电压精度和温度系数的变化 塑料封装限制了用激光技术修剪的参考的准确性。

与其他LDO基准电压源不同，LM4132可提供高达20 mA的电流，并且不需要 输出电容器或缓冲放大器。这些优点以及 SOT-23 封装是 对于空间关键型应用很重要。
*附件：lm4132.pdf

串联基准电压源的功耗低于分流基准电压源，因为它们确实如此 在空载条件下不必空闲最大可能的负载电流。这个优势， 低静态电流 （60 μA） 和低压差 （400 mV） 使 LM4132 成为以下用途的理想选择 电池供电的解决方案。

LM4132 有五个等级（A、B、C、D 和 E）可供选择，具有更大的灵活性。这 最佳等级器件 （A） 的初始精度为 0.05%，具有指定的温度系数 10 ppm/°C 或更低，而最低等级器件 （E） 的初始精度为 0.5%，并且 温度系数为 30 ppm/°C。

特性

• 符合汽车应用标准
• AEC-Q100 符合以下标准：
  • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 设备 HBM ESD 分类 2 级
• 输出初始电压精度：0.05%
• 低温系数：10 ppm/°C
• 低电源电流：60 μA
• 使能引脚允许3 μA关断模式
• 20mA 输出电流
• 电压选项：1.8 V、2.048 V、2.5 V、3 V、3.3 V、4.096 V
• 提供定制电压选项（1.8 V 至 4.096 V）
• V在V 范围 裁判 + 400 mV 至 5.5 V（10 mA 时）
• 使用低ESR陶瓷电容器稳定

参数

方框图

‌1. 产品概述‌
LM4132系列是采用CMOS工艺的精密电压基准芯片，性能媲美激光校准的双极型基准，具有以下核心特性：

• ‌输出电压选项‌：1.8V、2.048V、2.5V、3V、3.3V、4.096V（支持1.8V至4.096V定制）
• ‌高精度‌：初始精度0.05%（A级）至0.5%（E级）
• ‌低温漂‌：10 ppm/°C（A级）至30 ppm/°C（E级）
• ‌低功耗‌：静态电流60 µA，关断模式3 µA
• ‌输出能力‌：支持20 mA负载电流，无需外部电容或缓冲放大器
• ‌工作范围‌：输入电压VIN ≥ VREF + 400 mV至5.5V

‌2. 关键特性‌

• ‌汽车级认证‌：LM4132-Q1符合AEC-Q100 Grade 1标准（-40°C至125°C）
• ‌稳定性‌：兼容低ESR陶瓷电容，长期稳定性50 ppm/1000小时
• ‌封装‌：SOT-23-5（2.9 mm × 1.6 mm）

‌3. 应用领域‌

• 仪器仪表与过程控制
• 数据采集系统
• 便携式电池供电设备
• 通信与医疗设备
• 汽车电子（如伺服系统、电池充电器）

‌4. 功能模式‌

• ‌使能控制‌：EN引脚支持逻辑控制（高电平：65%VIN至VIN激活；低电平：≤35%VIN关断）
• ‌短路保护‌：输出短路时限流75 mA

‌5. 设计要点‌

• ‌输入电容‌：必需，推荐≥0.1 µF（若使用输出电容，需满足CIN ≥ COUT）
• ‌布局建议‌：靠近PCB边缘安装以减少机械应力，采用U型槽隔离提升稳定性

‌6. 性能参数‌

• ‌温漂测试‌：-40°C至125°C全温区保证
• ‌噪声特性‌：0.1–10 Hz频段噪声典型值175–350 µVPP（依电压型号不同）
• ‌热滞‌：典型75 ppm（8次温度循环后）

‌7. 型号分类‌

• ‌等级划分‌：A至E级，精度与温漂逐级放宽
• ‌后缀标识‌：如LM4132A-2.5表示A级2.5V输出

‌8. 典型应用电路‌

• 基准电压输出
• 可编程电流源
• 带Force/Sense的精密参考电路