LV5144 95V同步降压控制器技术解析与应用指南

描述

Texas Instruments LV5144 95V同步降压控制器旨在对高输入电压源或会发生高电压瞬变的输入电源轨进行电压调节,从而尽可能地减少对外部浪涌抑制元件的需求。45ns的高侧开关超短导通时间有助于获得较大的降压比,支持从48V标称输入到低电压轨的直接降压转换,从而降低系统的复杂性和设计成本。Texas Instruments LV5144在输入电压突降至6V时,仍能根据需要以接近100%的占空比继续工作,因此非常适用于高性能工业控制、机器人、数据通信和射频应用。

数据手册:*附件:Texas Instruments LV5144 95V同步降压控制器数据手册.pdf

强制PWM (FPWM) 模式运行可以消除开关频率变化从而尽可能地降低EMI,而用户可选的二极管仿真功能则可以降低轻负载条件下的电流消耗。可调开关频率高达1MHz,可同步到外部时钟源,以消除噪声敏感型应用中的拍频。

特性

  • 器件温度1级(-40°C至+125°C环境温度范围)
  • 多功能同步降压直流/直流控制器
    • 宽输入电压范围:6V至95V
    • 最高结温:125°C
    • 0.8V基准电压,反馈精度为±1%
    • 可调输出电压:0.8V至60V
    • 45ns tON(min) 实现高V IN /VOUT
    • 145ns T OFF(最小值) ,用于低压差
    • 无损R DS(on) 或分流电流检测
    • 优化用于满足CISPR 11和CISPR 32 B类EMI要求
  • 开关频率:100kHz至1MHz
    • 同步输入和同步输出能力
    • 可选二极管仿真或FPWM
  • 用于标准VTH MOSFET的7.5V栅极驱动器
    • 14ns自适应死区时间控制
    • 2.3A拉电流和3.5A灌电流能力
  • 固有保护特性可实现稳健设计
    • 可调输出电压软启动
    • 断续模式过流保护
    • 具有迟滞的输入UVLO
    • VCC和栅极驱动UVLO保护
    • 精密使能输入和开漏PGOOD指示器,用于排序和控制
    • 带迟滞的热关断保护
  • 20引脚VQFN封装,带可湿性侧翼

功能框图

电源轨

LV5144 95V同步降压控制器技术解析与应用指南

一、产品概述

LV5144是德州仪器(TI)推出的高电压同步降压控制器,具有以下核心特性:

  • 宽输入电压范围‌:6V至95V工作范围,可承受100V瞬态电压
  • 高精度输出‌:0.8V基准电压,±1%反馈精度
  • 双模控制架构‌:电压模式控制+输入电压前馈
  • 高效驱动能力‌:7.5V栅极驱动器,2.3A源电流/3.5A灌电流
  • 多重保护机制‌:过流保护、热关断(175°C)、输入欠压锁定(UVLO)
  • 工业级可靠性‌:-40°C至+125°C工作温度范围

二、关键电气参数

1. 绝对最大额定值

参数最小值最大值单位
输入电压(VIN)-0.3V100VV
SW引脚电压-1V100VV
BST引脚电压-0.3V110VV
工作结温-40°C150°C°C

2. 典型性能

  • 转换效率‌:
    • 48V转12V时高达94%(400kHz)
    • 48V转5V时高达92%(300kHz)
  • 最小导通时间‌:45ns(支持高降压比)
  • 开关频率范围‌:100kHz至1MHz(可同步)
  • 待机电流‌:≤2mA(VIN=48V)

三、系统架构解析

1. 控制环路设计

采用电压模式控制架构,具有以下特点:

  • 输入电压前馈‌:kFF=15,保持恒定调制器增益
  • 补偿网络‌:Type III补偿,支持宽范围LC滤波器
  • 环路带宽‌:典型40kHz(1/10 Fsw)

2. 功率级设计要点

  • MOSFET选型‌:
    • 高边MOSFET:关注Qg和RDS(on)平衡
    • 低边MOSFET:优先选择低RDS(on)

四、典型应用设计

1. 48V转12V/8A设计示例

关键参数‌:

  • 输入电压:14V-85V
  • 开关频率:400kHz
  • 电感:6.8μH(13mΩ)
  • MOSFET:
    • 高边:100V/22mΩ
    • 低边:100V/10mΩ

布局要点‌:

  • 功率环路面积最小化
  • 栅极驱动走线短而宽(≥25mil)
  • 采用4层板设计,内层地平面

2. 48V转5V/12A设计示例

关键参数‌:

  • 输入电压:8V-85V
  • 开关频率:300kHz
  • 电感:3.3μH(6mΩ)
  • 输出电容:5×47μF陶瓷电容

热管理‌:

  • 采用VQFN封装(3.5×4.5mm)
  • 散热焊盘连接至地平面
  • 增加散热过孔阵列

五、设计注意事项

  1. EMI抑制‌:
    • 优化SW节点铜面积
    • 可添加RC缓冲电路(如2.2Ω+100pF)
    • 采用输入π型滤波器
  2. 高边驱动设计‌:
    • BST电容紧靠IC放置
    • 可串联2-10Ω电阻减缓开关边沿

六、应用领域推荐

  1. 工业自动化‌:
    • PLC电源模块
    • 电机驱动器辅助电源
  2. 通信设备‌:
    • 基站电源分配
    • 光模块供电
  3. 交通电子‌:
    • 电动汽车OBC辅助电源
    • 车载信息娱乐系统
  4. 可再生能源‌:
    • 光伏逆变器控制电源
    • 储能系统管理单元
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