Texas Instruments UCC14141-Q1 5kVRMS 隔离式DC-DC模块是符合汽车标准的高隔离电压DC-DC电源模块,设计用于为IGBT或SiC栅极驱动器供电。UCC14141-Q1集成了变压器和DC-DC控制器,采用专有架构,实现了高密度和极低排放。高精度输出电压可提供更好的沟道增强,从而提高系统效率,同时不会对功率器件栅极造成过大压力。UCC14141-Q1的输入电压既支持电动汽车宽泛的LiFePO4 电池电压 (8V-18V),也支持稳压的12V轨 (10.8V-13.2V),输出功率各不相同。
数据手册:*附件:Texas Instruments UCC14141-Q1 5kVRMS隔离式直流-直流模块数据手册.pdf
Texas Instruments UCC14141-Q1是一款完全集成的模块,具有片上器件保护功能,需要非常少的外部元件,可提供额外的特性。这些特性包括输入欠压锁定、过压锁定、输出电压电源正常比较器、过热关断、软启动超时、可调隔离式正负输出电压、使能引脚和开漏输出电源正常引脚。
特性
- 采用隔离变压器的完全集成高密度隔离式直流/直流模块
- 隔离式直流/直流模块,用于驱动:IGBT、SiC FET
- 输入电压范围:8V至18V,绝对最大值为32V
- 10.8V < V
IN < 13.2V,TA ≤ 85°C时输出功率:1.5W - 8V < V
IN < 18V,TA ≤ 85°C时输出功率:1W - 可调 (V
DD - VEE) 输出电压(使用外部电阻器):15V至25V,全温度范围内调节精度为±1.3% - 可调 (COM - VEE) 输出电压(使用外部电阻器):2.5V至 (V
DD - VEE),全温度范围内调节精度为±1.3% - 使能、电源良好、UVLO、OVLO、软启动、短路、功率限制、欠压、过压和过热保护
- 采用扩频调制和集成变压器,电磁辐射低
- CMTI >150kV/µs
- 符合汽车应用类AEC-Q100标准
- 温度等级1:-40°C ≤ T
J ≤ 150°C - 温度等级1:-40°C ≤ T
A ≤ 125°C
- 支持功能安全
- 计划中的安全相关认证
- 7071V
PK 加强隔离,符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准 - 5000V
RMS 隔离1分钟,符合UL 1577标准 - 强化绝缘,符合CQC GB4943.1标准
- 36引脚、宽SSOP封装
功能框图

德州仪器UCC14141-Q1隔离式DC/DC电源模块深度解析
一、产品核心特性
UCC14141-Q1是德州仪器(TI)推出的汽车级高密度隔离DC/DC电源模块,专为IGBT和SiC FET栅极驱动设计,具有以下突出特性:
- 超高隔离性能:>5kVRMS隔离电压,CMTI>150kV/μs
- 宽输入电压范围:8V至18V工作输入,支持12V电池直接连接
- 双路可调输出:
- (VDD-VEE)输出范围:15V至25V(±1.3%精度)
- (COM-VEE)输出范围:2.5V至(VDD-VEE)(±1.3%精度)
- 高效率设计:集成55mΩ高边/24mΩ低边MOSFET,最大95%占空比
- 完备保护机制:输入欠压/过压锁定、输出过流/短路保护、热关断等
二、关键技术创新
1. 集成磁隔离变压器
采用专利的MagLam变压器技术,实现:
- 16MHz高频开关(带扩频调制)
- 仅3.3mm×4mm×2mm封装尺寸
- 低寄生电容(<3.5pF)确保高CMTI
- 内置7071VPK增强隔离(符合DIN EN IEC 60747-17)
2. 智能双路输出控制
- 主输出(VDD-VEE) :采用D-CAP3™自适应导通时间控制
- 次输出(COM-VEE) :独特RLIM引脚电流限制架构
- 支持输出极性灵活配置(正/负/双正/双负)
3. 先进保护系统
- 输入保护:UVLO(7.8V)/OVLO(22V)带迟滞
- 输出保护:独立UVP/OVP比较器(±10%阈值)
- 热管理:双路温度监测(初级/次级独立)
三、典型应用设计
1. 电动汽车驱动系统
- 逆变器栅极驱动:为SiC MOSFET提供+15V/-5V偏置
- 设计要点:
- 输出配置:VDD=20V, COM=5V, VEE=0V
- RLIM电阻计算:考虑栅极电荷(Qg)和开关频率
- 推荐COUT1B=22μF优化动态响应
2. 工业电机驱动
- IGBT驱动电源:实现+18V/-3V输出
- 布局关键:
- FBVDD/FBVEE走线远离开关节点
- VEEA引脚需单点接地
- 热焊盘必须连接至PCB地平面
四、性能参数详解
1. 电气特性
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|
| 输入电压 | 工作范围 | 8 | 12 | 18 | V |
| (VDD-VEE)精度 | 全温度范围 | -1.3 | - | +1.3 | % |
| 开关频率 | VIN=12V | - | 16 | - | MHz |
| 静态电流 | ENA=5V,无负载 | - | 40 | - | mA |
2. 保护阈值
- 热关断:150°C触发(20°C迟滞)
- 输出OVP:31V绝对最大值
- 输入UVLO:7.8V上升/7V下降阈值
五、设计注意事项
1. 电容选型指南
- 输入电容:20μF+0.1μF陶瓷电容组合
- 输出电容:
- COUT1:10μF(紧靠VDD/VEE引脚)
- COUT1B:根据Qg计算优化(见公式7)
- COUT2/COUT3比值需匹配电压分配比
2. RLIM电阻计算
3. PCB布局规范
- 层叠设计:至少4层板,外层2oz铜厚
- 热管理:每侧布置≥48个 thermal via(12mil孔径)
- 隔离间距:保持8mm基本隔离距离
六、认证与可靠性
- 汽车认证:AEC-Q100 Grade 1(-40°C至125°C)
- 安全认证:
- UL1577 5000VRMS(计划中)
- CQC GB4943.1增强绝缘(计划中)
- MTBF:>100年@1000VRMS工作电压(TDDB数据)