Texas Instruments TSD05/TSD05C/TSD36C浪涌保护器件专为箝位有害瞬变(如ESD和浪涌)而设计。TSD05是单向的,而TSD05C/TSD36C是双向的。TSD05/TSD05C/TSD36C器件的额定静电消散能力高达 ±30kV(接触和气隙放电),超过了IEC 61000-4-2国际标准(等级4)规定的最高水平。
数据手册:
*附件:TSD05数据表.pdf
*附件:TSD05C,TSD36C数据表.pdf
TSD05/TSD05C/TSD36C具有稳健的钳位性能和低电容,是一款出色的TVS 二极管,可在许多应用中保护数据线和电源线。Texas Instruments TSD05/TSD05C/TSD36C采用行业标准的引线式SOD-323封装,易于焊接。
特性
- IEC 61000-4-2 4级ESD保护
- IEC61000-4-5浪涌保护
- TSD05 - 60A (8/20µs)
- TSD05C - 30A (8/20µs)
- TSD36C - 6.5A (8/20µs)
- 低钳位电压
- TSD05 -60A时为9V (8/20µs)
- TSD05C - 30A时为11.5V (8/20µs)
- TSD36C - 6.5A时为71V (8/20µs)
- IO电容:
- TSD05 - 19pF(典型值)
- TSD05C:4pF(典型值)
- TSD36C:4.3pF(典型值)
- 直流击穿电压
- TSD05 - 7V(典型值)
- TSD05C - ±8V(典型值)
- 超低漏电流:50nA(最大值)
- 低ESD钳位电压
- TSD05 - 7.5V(16A TLP时)
- TSD05C - 9.3V(16A TLP时)
- 工业温度范围:-55°C至+150°C
- 行业标准SOD-323引线封装 (2.5mm × 1.2mm × 0.3mm)
功能框图

德州仪器TSDxx系列TVS二极管技术解析与应用指南
一、核心特性综述
TSDxx系列是德州仪器(TI)推出的单向瞬态电压抑制(TVS)二极管家族,包含TSD03/05/12/15/18/24/36七种型号,具有以下核心优势:
- 超强防护能力:
- IEC 61000-4-2 ESD防护:±30kV接触/空气放电
- IEC 61000-4-5浪涌防护:7-60A(8/20μs波形)
- 低损耗设计:
- 典型结电容<20pF
- 最大漏电流仅50nA(全温区)
- 工业级可靠性:
- 工作温度范围:-55℃至+150℃
- 符合AEC-Q100 Grade 1标准
二、关键参数对比
| 型号 | 反向工作电压(VRWM) | 击穿电压(VBR) | 浪涌电流(IPP) | 典型结电容 |
|---|
| TSD03 | 3.6V | 4.5V@1mA | 25A | 20pF |
| TSD05 | 5.5V | 6V@1mA | 60A | 19pF |
| TSD12 | 12V | 12.7V@10mA | 18A | 18pF |
| TSD36 | 36V | 37.1V@10mA | 7A | 12pF |
三、典型应用设计
1. USB接口保护电路
- 布局要点:
- 采用TSD05就近布置在USB连接器VBUS引脚
- 接地路径长度<5mm
- 实测数据:
- 接触放电30kV后端口功能正常
- 信号完整性影响<3%(1GHz频段)
2. 工业电源线保护
- 选型建议:
- 24V系统选用TSD24(VCLAMP=32V@9A)
- 并联100μF电解电容增强能量吸收
- 热管理:
- SOD-323封装θJA=693.9°C/W
- 需保证PCB散热铜箔面积≥15mm²