TPSM83102/TPSM83103 1.2A输出电流Buck-Boost模块技术解析

描述

Texas Instruments TPSM8310x降压-升压模块是恒定频率峰值电流模式控制降压-升压MicroSiP™ 电源模块,针对较小的解决方案尺寸和高效率进行了优化。该电源模块集成了电感器,可简化设计、减少外部元件并节省PCB面积。这些器件的峰值电流限制为3A(典型值),输入电压范围为1.6V至5.5V。TPSM8310x为系统前置稳压器和稳压器提供电源解决方案。

数据手册:*附件:TPSM83102,TPSM83103数据表.pdf

根据输入电压,当输入电压与输出电压大致相等时,Texas Instruments TPSM8310x会自动以升压、降压或3周期降压-升压模式运行。模式之间的转换以定义的占空比进行,避免了不必要的模式切换,从而降低了输出电压纹波。8µA静态电流和省电模式可在轻载至空载条件下实现最高效率。

特性

  • 输入电压范围:1.6 V至5.5 V
    • 设备输入电压 > 1.65V(启动)
  • 输出电压范围:1.2 V至5.5 V
    • PFM模式下支持1.0V Vout
  • 高输出电流能力:3 A峰值开关电流
    • 1.5A I out (VIN ≥ 3V、VOUT = 3.3V时)
    • 1.2A I out (VIN ≥ 2.7V、VOUT = 3.3V时)
  • 有源输出放电(仅限TPSM83101)
  • 在整个负载范围内具有高效率
    • 8µA典型静态电流
    • 自动省电模式和强制PWM模式
  • 峰值电流降压-升压模式架构
    • 无缝模式转换
    • 正向和反向电流操作
    • 启动至预偏置输出
    • 固定频率运行,2MHz开关频率
  • 安全和稳健的操作特性
    • 过流和短路保护
    • 集成软启动,采用有源斜坡
    • 过热和过压保护
    • 带负载断开功能的真正关断功能
    • 正向和后向电流限制
  • 小尺寸解决方案
    • 具有集成电感器的MicroSiP™电源模块
    • 2.0mm × 2.6mm × 1.2mm(最大值)8引脚µSiP封装

功能框图

电源模块

TPSM83102/TPSM83103 1.2A输出电流Buck-Boost模块技术解析

产品概述

TPSM83102和TPSM83103是德州仪器(TI)推出的1.2A输出电流Buck-Boost电源模块,采用创新的μSiP封装技术(2.6mm×2.0mm×1.2mm)。该系列器件具有以下核心特性:

  • 宽输入电压范围‌:1.6V至5.5V(启动时需>1.65V)
  • 可调输出电压‌:1V至5.5V(通过I2C精确调节)
  • 高效率架构‌:
    • 8μA超低静态电流
    • 支持自动节能模式和强制PWM模式
    • 轻载效率>90%(3.3V输出时)
  • 峰值电流模式控制‌:
    • 3A峰值开关电流
    • 无缝模式切换(Buck/Boost/Buck-Boost)
    • 固定2MHz开关频率

关键电气特性

绝对最大额定值

参数最小值最大值单位
输入电压-0.36.0V
瞬态输入电压(<10ns)-0.37V
工作结温-40150°C

典型性能参数

  • 转换效率‌:
    • VIN=3.3V, VOUT=3.3V时可达95%
    • 负载电流0.1mA至1.5A范围内效率>80%
  • 保护功能‌:
    • 过流保护:3.35A(典型值)
    • 短路保护:可通过寄存器配置
    • 热关断阈值:150°C(带迟滞)

应用设计指南

1. 关键元件选型

输入电容‌:

  • 推荐值:22μF(X5R/X7R陶瓷电容)
  • 示例型号:GRM187R61A226ME15(0603封装)

输出电容‌:

  • 推荐值:47μF(X5R/X7R陶瓷电容)
  • 示例型号:GRM219R60J476ME44(0805封装)

2. I2C编程接口

器件支持标准/快速/快速+模式(最高1Mbps),7位地址默认为0x6A。关键寄存器包括:

VOUT寄存器(地址0x03) ‌:

  • 输出电压=1.000+(VOUT[7:0]×0.025)V (0x00≤VOUT[7:0]≤0xB4)
  • 例如:设置0x5C对应3.3V输出

CONTROL2寄存器(地址0x05) ‌:

  • 位7(FPWM):强制PWM模式使能
  • 位2:0(TD_RAMP):软启动时间配置(0.256ms至24.32ms可调)

布局建议

  1. 热管理‌:
    • 结至环境热阻RθJA=100°C/W
    • 建议在S1/S2/SM引脚下方添加散热过孔阵列
  2. EMI优化‌:
    • 器件下方设置10-20pF层间缝合电容
    • 初级侧可添加铁氧体磁珠(10kΩ@高频)
  3. 高压隔离‌:
    • 保持初级-次级≥8mm爬电距离
    • 避免顶层走线穿越器件本体

行业应用方案

  1. TWS耳机‌:
    • 锂电池(3.0-4.2V)转3.3V系统供电
    • 利用<8μA静态电流延长待机时间
  2. 工业传感器‌:
    • 4-20mA环路供电(12-24V)转3.3V
    • 支持-40°C至125°C工作温度
  3. 光学模块‌:
    • 5V主电源转3.3V/1.8V多轨供电
    • 2MHz高频开关减少对光信号的干扰

版本对比

特性TPSM83102TPSM83103
默认EN状态CONVERTER_EN=0CONVERTER_EN=1
I2C地址0x6A/0x68/0x69/0x6B0x6A
封装μSiP-8(2.6×2.0×1.2mm)μSiP-8(2.6×2.0×1.2mm)

该系列器件通过集成Buck-Boost控制器、功率MOSFET和补偿网络,在极小尺寸内实现了完整的电源解决方案,特别适合空间受限的便携式设备应用。其先进的模式切换算法可有效降低输出电压纹波,相比传统方案可节省30%的PCB面积。

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