产品拆解 | 绿联 65W GaN 三口快充充电头

从GaN快充到多协议功率管理，绿联如何在小体积中实现65W输出？从反激初级到同步整流，从协议主控到功率分配，其电路设计体现了怎样的多口快充兼容性与动态功率分配能力？

在高功率快充已成标配的今天，如何在有限体积内实现更高功率密度、更低成本与更强协议兼容能力，成为PD充电器方案设计中的核心命题。

本文拆解的是一款绿联的 65W GaN 三口输出的电源适配器，其内部采用三块板构成.

整体实现了交流输入整流与滤波、初级开关控制与功率变换、次级侧同步整流、输出电压调节、协议控制与状态指示等功能。

该电源适配器支持两个USB-C口和一个USB-A口，具备多协议快充能力，系统结构紧凑，器件分布清晰，具有代表性的电路组合值得进一步拆解分析。

绿联65WGaN三口快充充电头介绍

充电头包装特写。

包装盒上印有产品参数：

输入: 100-240V~50/60Hz 1.8A Max

USB-C1 输出: 5V/3A 9V/3A 12V/3A 15V/3A 20V/3.25A 65W Max

USB-C2 输出: 5V/3A 9V/3A 12V/2.5A 15V/2A 20V/1.5A 30W Max

USB-A 输出: 5V/3A 9V/3A 12V/1.5A 10V/2.25A 22.5W Max

输出总功率: 65W Max

将包装盒打开，可得到充电头全貌。

充电头顶部有三个USB接口(2×USB-C + 1×USB-A)。

充电头底部为可拆卸插脚设计。

底部印有3C产品认证等标识。

移除屏幕保护膜后，充电头会根据工作状态显示不同表情图案。

绿联65WGaN三口快充充电头拆解

拆卸充电头外壳后，可见内部电路情况。

充电头内部用灌封胶填满，起到绝缘、导热、抗震等作用。

将灌封胶去掉后可以看到电路情况。拆解后我们可以发现，不同于传统的单板布局。

这款充电头内部设计采用了三板垂直插接、焊接组合，极大地提高了空间利用率。

其中两块板之间有一个黑色塑料片，起到高低压板间的安全绝缘隔离作用。

接下来我们从电流路径出发，分析其电路设计以及元器件选型。

反激电路初级侧

输入端一颗规格为3.15A，250V的保险丝。

差模电感和X电容，形成差模EMI滤波器，抑制开关电源工作时向电网回传的高频噪声，满足EMC要求。

整流桥来自慧芯电子，型号为RHBS810，封装为HBS，规格为1000V，8A。

一颗NTC热敏电阻，用来抑制浪涌电流。

两颗来自Acon的高压滤波电容，规格为47μF 400V。

电源主控IC来自南芯，型号为SC3057，封装形式为QFN6*8。

这是一款集成GaN功率管的反激式PWM控制器，具备准谐振控制功能，适用于高频高密度的快充电源设计。

该芯片内置高压启动电路及X电容放电功能，空载时进入打嗝模式，静态功耗低至350μA。SC3057具备自适应频率折返、谷底开关、分段供电等特性，并通过频率扰动与智能驱动优化EMI表现，同时提供全面的过压、过流、短路等保护机制。

SC3057在该电路中负责反激变换的控制功能，驱动内置GaN开关管，实现反激架构的调压与输出控制。

变压器特写。

反激电路次级侧

同步整流IC来自南芯，型号为SC3503，封装形式为SOT23-6。

SC3503是一款次级同步整流控制器，内置高速关断比较器和误触发防护机制，适配CCM等复杂工作模式。

该芯片支持宽电压输出应用，兼容高/低侧整流设计，适用于多口快充、USB PD等高性能适配器场景。

SC3503在该电路中负责驱动次级同步整流MOSFET，完成反激架构中次级侧的整流控制功能。

同步整流MOS来自Wayon(维安)，型号为WMB080N10L，封装形式为PDFN-8(5x6)。

这是一颗 100V N沟道功率MOSFET，采用威兆第四代Trench工艺，适用于快充电源等高效率整流应用。

WMB080N10LG4的典型导通电阻为7.8mΩ(Vgs=10V) 10mΩ(Vgs=4.5V)，最大连续漏极电流为85A，支持100%单脉冲雪崩测试。

WMB080N10LG4在该电路中与SC3503配合，负责反激变换器次级侧的同步整流动作。

两颗用于滤波的固态电容，规格分别为220μF 25V和560μF 25V。

光耦来自亿光，型号为EL1018，封装形式为SOP-4。

EL1018在该电路中负责将输出电压变化以光信号反馈至初级侧。

协议输出电路

协议主控芯片来自智融科技，型号为SW3537，封装形式为QFN-37(5.5x5.5)。

这是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片，支持PD3.0/PPS、QC5、AFC、FCP、SCP等多种主流协议，具备A+C任意口快充输出与双口独立限流能力。芯片内部集成USB Type-C接口逻辑、双芯片动态功率分配引擎以及BC1.2兼容模块，适配不同终端设备的快充需求。

该芯片适用于多口充电器、车载快充、排插式快充模块等高集成化、多协议、多功率输出场景。其外围电路精简，无需外接MCU即可完成协议识别、功率调配与降压控制，适配30–65W多规格产品。

SW3537在该电路中负责对USB-A与USB-C2两个接口进行快充协议识别与输出电压电流控制，并控制SW3516P协同完成总功率动态分配。

USB-A和USB-C2的VBUS开关管来自Wayon(维安)，型号为WMQ40DN03，封装形式为PDFN-8(3x3)。

WMQ40DN03是一款 30V 双N通道增强型功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于DC/DC变换器与功率管理开关等高效率场景。

该器件的典型导通电阻为9mΩ(@VGS=10V)、14mΩ(@VGS=4.5V)，最大连续漏极电流为40A，具备低栅极电荷以及100%雪崩测试保障。

在本电路中，WMQ40DN03作为双N通道MOS，负责USB-A与USB-C2口的协议输出路径控制，由SW3537主控芯片驱动，用于实现对这两个接口的VBUS供电管理与多协议调压输出。

协议控制芯片来自智融科技，型号为SW3516P，封装形式为 QFN-28(4x4)。

这是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片，支持PD3.0/PPS、QC、AFC、FCP、SCP、PE、SFCP等多种主流快充协议，具备A+C任意口快充输出与双口独立限流能力。芯片内部集成USB Type-C接口逻辑、协议识别模块以及 CC/CV 模式控制器，最大输出功率支持至 100W(20V@5A)。

该芯片适用于单口或双口快充电源产品，如USB PD快充适配器、多口充电器、便携储能等。

SW3516P在该电路中负责USB-C1接口的快充协议识别，通过驱动外部BUCK电路实现电压调控，并与SW3537协同完成总功率动态分配管理。

两颗SWT40N45组成同步降压BUCK电路，由SW3516P控制驱动，负责将主电压轨降压至USB-C1所需输出电压。

USB-C1的VBUS开关管来自FETek，型号为FKBB3006，封装形式为PRPAK3X3。

FKBB3006是一款30V N沟道功率MOSFET。该芯片的典型导通电阻为5.5mΩ(Vgs=10V)，最大持续漏极电流达64A，具备超低栅电荷与良好的dv/dt性能，并通过100%单脉冲雪崩测试。

在本电路中，FKBB3006 作为USB-C1接口的VBUS功率开关MOS，由SW3516P控制，负责输出路径的电压导通与快充通断切换。

LED驱动电路

一颗型号丝印模糊的芯片，来自辉芒微(FMD)的MCU负责控制LED，封装形式为SOP-10。

以上为全部拆解内容

Big-Bit拆解总结

这款绿联 65W GaN 三口快充适配器内部采用三块板构成的结构方案，在有限体积中实现了多口输出、高功率密度与协议兼容性的统一。

通过拆解可以看出，这款绿联 65W GaN 三口快充适配器整体架构采用典型的SSR反激拓扑+协议输出方案，系统功能由交流输入整流滤波、初级功率变换、次级同步整流、协议识别与调压输出等部分构成。

其器件布局集中在三块垂直插接的PCB上，结构紧凑且利于散热隔离，具备较强的系统设计针对性。

在初级侧，整流部分通过RHBS810整流桥配合高压滤波电容完成AC转DC处理，主控芯片SC3057集成GaN功率管，结合准谐振控制与频率扰动等功能，负责整机反激架构的高频功率调控;在次级侧，南芯SC3503与维安WMB080构成同步整流组合，提升效率并降低导通损耗，同时通过光耦EL1018完成反馈环路闭环控制。

在协议输出部分，充电头使用SW3537与SW3516P两颗协议主控芯片分别控制USB-A/C2与USB-C1接口，SW3537内部集成协议识别与功率调配逻辑，通过WMQ40DN03控制USB-A/C2 VBUS通断;SW3516P则通过驱动SWT40组成的BUCK电路实现C1口的调压控制，并以FKBB3006作为VBUS MOS，完成快充的精确开关。

此外，一颗来自FMD的MCU通过SOP-10封装独立控制LED表情灯状态，形成整机辅助人机交互功能。

整体方案在协议兼容性、电路分工与器件协同等方面体现出系统化设计思路，充分利用高集成控制芯片与功率器件协作，达成在有限体积内实现三口高功率输出的目标。

审核编辑 黄宇