TPSI2072-Q1 EVM评估模块技术解析与应用指南

描述

Texas Instruments TPSI2072Q1EVM评估模块是一款六铜层板,具有多个测试点和跳线,用于全面评估TPSI2072-Q1的功能。TPSI2072-Q1是一款双通道隔离式固态继电器,设计用于高压汽车和工业应用,例如电池管理系统、EV/HEV车载充电器、机械继电器替代方案以及直流链路预充电。TPSI2072Q1EVM的初级侧设有四个差分驱动器,可为次级侧的每个内部MOSFET提供电源和使能逻辑信息。次级侧的每个MOSFET均具有可靠的全桥整流器,可形成本地电源。

数据手册:*附件:Texas Instruments TPSI2072Q1EVM评估模块数据手册.pdf

特性

  • 每个引脚和电压电源均设有测试点,以确保正常运行
  • 如果用户通过所提供的跳线将VDD 和使能端连接在一起,可与外部波形发生器共同运行,或使用单个电源进行测试
  • 符合AEC-Q100汽车应用标准
  • 具有1400V关断电压的集成式额定雪崩MOSFET
  • 低一次侧电源电流:导通状态为5mA,关断状态为1uA

PCB布局

双通道

TPSI2072-Q1 EVM评估模块技术解析与应用指南

产品概述

TPSI2072-Q1 EVM是德州仪器(TI)推出的高电压隔离开关评估模块,基于TPSI2072-Q1车规级隔离固态继电器设计,具有以下核心特性:

  • 高压隔离‌:3750Vrms/1500VDC隔离等级
  • 双通道设计‌:集成两个独立控制的隔离开关通道
  • 车规认证‌:符合AEC-Q100汽车电子标准
  • 紧凑封装‌:采用SOIC-11(DWQ)封装(10.3×7.5mm)

关键硬件特性

1. 器件性能参数

参数规格测试条件
隔离电压3.75kVrms持续60s
工作电压±600V通道至SM引脚
导通电阻55mΩ/24.3mΩ高边/低边
输入电流9mA(开启)500V/105°C
待机电流1μA(关闭)500V/105°C

2. 评估板接口配置

  • 高压接口‌:
    • J1/J10:HV1/HV2正极输入(通道1/2)
    • J3:HV-公共负极
    • J2:SM电压检测点
  • 控制接口‌:
    • J4:VDD初级侧供电(2.5-5.5V)
    • J6/J8:EN1_EXTERNAL/EN2_EXTERNAL使能控制
    • J5:初级侧接地
  • 测试点‌:
    • TP1-TP9:覆盖所有关键信号监测
    • TP6:SM热引脚测量点

典型应用场景

1. 电动汽车系统

  • 电池管理系统(BMS) ‌:高压采样回路隔离
  • 车载充电器(OBC) ‌:DC链路预充电控制
  • 电机驱动系统‌:IGBT栅极驱动隔离

2. 工业自动化

  • PLC数字量输出隔离
  • 工业继电器替代方案
  • 光伏系统安全隔离

评估板使用指南

1. 安全注意事项

  1. 高压测试时需遵守TI HV EVM安全规范:
    • 工作区必须设置有效隔离屏障
    • 操作人员需穿戴绝缘防护装备
    • 禁止在无人值守时保持供电
  2. 电气安全限制:
    • 最大工作电压:1414VDC(VIOWM)
    • 禁止超过3750Vrms隔离测试

2. 测试配置步骤

  1. 基本连接‌:
    • 通过端子块连接高压输入(J1/J3/J10)
    • 提供5V初级侧电源(J4/J5)
    • 连接示波器监测TP1-TP9信号
  2. 使能控制配置‌:
    • 跳线J7/J9选择使能模式:
      • ENx_EXT:外部信号控制
      • VDD-ENx:上电自动使能
  3. 波形测量‌:
    • 典型测试点:
      • CH1: EN1使能信号
      • CH2: EN2使能信号
      • CH3/4: S1-SM/SM-S2电压

PCB设计要点

1. 叠层结构

  • 6层板设计(1.6mm总厚度)
  • 层间分布:
    • L1/L6:信号层
    • L2/L5:电源层
    • L3/L4:内部隔离层

2. EMI优化措施

  1. 层间缝合电容‌:
    • 通过J11跳线启用20pF Y电容
    • 降低初级/次级间共模噪声
  2. 高压布局‌:
    • 保持≥8mm爬电距离
    • 关键信号加装TVS管
  3. 热管理‌:
    • 扩大DWQ封装散热焊盘
    • 添加9×0.3mm散热过孔
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