ING916 的 SPI0 通过 AHB 总线连接到处理器,支持 4 线模式,以 存储映射方式只读访问 (https://ingchips.github.io/drafts/pg_ing916/ch-spi.html#qspi-读取和xip)时支持 XIP。通过 SPI0 外挂串行 NOR Flash,处理器就可以通过映射方式读取 NOR Flash 里的内容。对于开发者而言, 这块外挂 NOR Flash 可存放程序、只读数据等,可被 Cache “加速”,像内置 Flash 一样,使用方便。
SDK 从 v8.4.19 开始:1)自动安装 W25Q 烧写算法;2)支持串口和 USB 烧录。
01 芯片选型
SPI0 配置到专门的高速管脚可获得最高的传输速率。建议结合项目需要,确定 ING916 和 NOR Flash 的选型。
02 开发 Flash 烧写算法
下一步是为 NOR Flash 开发烧写算法。由于烧写算法不便调试,我们可以先在一个“普通”程序里实现相关的函数, 测试正常后再转换为烧写算法。
用程序读写外部 Flash
注意: 必须使用 SDK v8.4.10 或更高版本的 Cube。对于较低版本的 SDK, 请使用外设驱动。
先用 Wizard 创建一个 ING916 项目,打开 Cube。假设我们决定选用 ING91682C,在 Cube 里把封装切换为 ING91682C, 然后直接点击 “Set to High Speed Pins” 为 SPI0 配置高速管脚:

切换到时钟树界面,确认 SPI0 时钟为 24MHz 慢时钟(注:开发调试阶段先使用较低的时钟频率。),回到 SPI0 的设置页面, 将 Basic Settings 的 “Clock frequency” 设置为 24MHz。
说明:时钟树界面的 SPI0 时钟为 SPI0 硬件模块的驱动;而 Basic Settings 的 “Clock frequency” 为 SPI0 (主模式下) 输出的 CLK 信号的频率,由驱动分频得来。
参考 NOR Flash 数据手册,开发、调试相关的操作函数,如擦除、写入、设置模式等。
以 AHB_QSPI_MEM_BASE 为起始地址可直接以存储映射方式读取 NOR Flash 里的数据。读取时,SPI0 不需要任何特殊设置。
待功能验证正常后,可酌情优化传输速率:提供 SPI0 时钟、设置 NOR Flash 的 4 线模式等。 如果需要以 2 线或者 4 线模式读取 NOR Flash,需要配置 SPI0 的 MemAccessCmd 参数。请参考 NOR Flash 数据手册, 选择合适的命令和时序。MemAccessCmd 默认为 SPI_MEMRD_CMD_03,单线模式。
// 示例:设置为使用 EB 命令(4 线模式) apSSP_SetMemAccessCmd(AHB_SSP0, SPI_MEMRD_CMD_EB);
将程序转换为 Flash 烧写算法
下一步是通过上面的 NOR Flash 操作函数实现下载工具或者 IDE 要求的 Flash 烧写接口。以 Keil 为例, 需要实现 4 个必备的接口:
Init: 初始化
UnInit: 反初始化
EraseSector: 擦除一个扇区
ProgramPage: 写入一页
Flash 的特性、地址范围等在 FlashDev.c 的定义,如示例中:
structFlashDeviceconst FlashDevice ={
FLASH_DRV_VERS,// Driver Version, do not modify!
"INGCHIPS 91600 EXT W25Q",// Device Name
EXTSPI,// Device Type
0x04000000,// Device Start Address (A)
0x01000000,// Device Size in Bytes (B)
4096,// Programming Page Size (C)
0,// Reserved, must be 0
0xFF,// Initial Content of Erased Memory
800,// Program Page Timeout 100 mSec
3000,// Erase Sector Timeout 3000 mSec
// Specify Size and Address of Sectors
0x1000,0x000000,// Sector Size 4kB (D)
SECTOR_END
};
其中,名称可任意填写;起始地址 A 为固定值(AHB_QSPI_MEM_BASE),不可修改; B 既可根据实际情况填写,也可以填写一个 Flash 同系列型号所支持的最大容量(W25Q 地址 24bit,最大支持 16MiB),当以后更换容量更大的 Flash 型号时,不需要更改烧写算法; D 务必根据实际情况填写扇区大小;C 为烧录时一页的大小,由于 Flash 可能不支持按页擦除、却一定支持按扇区擦除, 所以这里把它设置为一个扇区的大小。
03 使用外部Flash
用 Wizard 创建一个 ING916 项目(假设名为 use_ext_flash)。打开 Cube,切换到所选用的封装,打开 SPI0 的时钟,并为 SPI0 配置管脚。 在 Keil 里打开项目的 Target 设置,添加一块外部 Flash,起始地址为 AHB_QSPI_MEM_BASE:

进入烧写算法设置页面,添加外部 Flash 烧写算法,添加完成后,这个项目存在两个烧写算法:

为项目添加一个新的文件 demo.c,写一个测试函数:
#include"platform_api.h"
voidhello_world(void)
{
platform_printf("hello from EXT flash
");
}
在 set_profile() 里调用这个函数:
externvoidhello_world(void);
uint32_tsetup_profile(void*data,void*user_data)
{
platform_printf("setup profile
");
platform_printf("func @ %p
", hello_world);
hello_world();
//...
}
打开 demo.c 的选项窗口,将 “Code/Const” 指派到 ROM1:

检查项目目录下是否存在 use_ext_flash.bin 文件,如有则删除。编译,此时可发现项目目录下生成了 一个名为 use_ext_flash.bin 的文件夹,里面存放了两个分别对应于 ROM1 和 IROM1 的文件。 打开下载工具,不勾选 “Burn Bin #2”(注意:v8.4.18 或更旧版本的下载工具可以下载 ER_IROM1,但无法下载 ER_ROM1;v8.4.19 及以上版本的下载工具两个文件都支持。),只下载 platform.bin。回到 Keil,点击 Download (F8) 按钮下载 app。 运行程序,用串口工具可看到如下输出:
setup profile func @ 04000001 hello from EXT flash
可见 hello_world 函数已被存放于外挂 NOR Flash,使用时与内置 Flash 没有区别。
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