第三代半导体功率器件企业派恩杰获“2025寻找宁波最具投资价值企业”最具潜力奖!

近日，宁波创投界一年一度的“寻找宁波最具投资价值企业”颁奖活动举行。本届活动紧扣“科创”主题，锚定“新质生产力”，聚焦高端装备、芯片制造、数字经济、新材料等宁波战略性新兴产业赛道，通过多维度评审机制，最终评选出四大领域荣誉。凭借深厚的技术积累、巨大的市场潜力以及卓越的创新实力，派恩杰半导体在本次评选中荣幸获得“2025寻找宁波最具投资价值企业”最具潜力奖。

于2024年落户宁波·前湾新区的派恩杰半导体，企业成长7年，始终聚焦于以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体功率器件的研发、应用与产业化。面对新能源汽车、光伏储能、数据中心、工业电源等领域的爆发式增长对高性能、高效率功率器件的迫切需求，派恩杰持续攻坚克难：

掌握核心技术：在芯片设计、制造工艺、封装测试等关键环节拥有自主知识产权，专利数量行业领先；

产品矩阵完善：高性能SiC MOSFET、SiC SBD、SiC模块等系列产品，以其高效率、高功率密度、高可靠性等优势，成功导入并广泛应用于国内外海、陆、空多领域主流客户供应链；

前瞻布局深远：积极布局下一代技术研发、多项未来科技应用，不断巩固和扩大技术领先优势、打造护城河，为未来发展注入强劲动力。

展望未来

宁波拥有优越的营商环境，为我们提供了宝贵的成长养分。在宁波这片创新创业的热土上获得“最具投资价值企业·最具潜力奖”，这不仅是对派恩杰团队过去努力的肯定，更是对我们未来发展的鞭策和期许。我们会将这一份认可转化为持续夯实技术根基的动力，为社会带来轻量化、高性能的产品，加速产业化进程，深化与宁波及长三角产业链伙伴的合作，致力于成为全球领先的功率半导体解决方案提供商，正如派恩杰践行的使命——用“中国芯”加速可持续能源，让每一度电能都发挥最大价值！

派恩杰半导体

成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大规模导入国产新能源整车厂和Tier 1，其余产品广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。