安富利推出基于英飞凌产品的6.6KW双向DCDC方案

方案描述

随着新能源车快充、光储一体系统及工业微电网需求激增，高效率、高功率密度双向DCDC成为关键部件。传统硅基方案受限于开关损耗和体积，效率已尽极限，且散热成本较高；还有双向拓扑控制复杂，动态响应不足等等问题；而碳化硅（SiC）器件凭借耐高温、低损耗特性，能做到更好的效率同时减少散热以及产品体积等优势，随着碳化硅（SiC）器件成本的降低，正加速替代硅基方案，预计2025年全球市场规模超50亿美元。

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在此背景下，安富利（Avnet）推出基于Infineon XMC系列MCU和CoolSiCTM系列碳化硅器件的6.6KW双向DCDC方案：

方案采用CLLC拓扑结构，全数字控制，动态响应时间小于10ms；Buck模式效率≥98%，Boost模式效率亦达到97%；方案灵活多变，可根据实际需要调整输入输出以及功率大小；可广泛（但不限于）应用在储能、电池化成、EV charging、工业电源等领域；

核心器件说明

主控MCU：

Infineon的XMC4402将英飞凌先进的外设集与行业标准的ARM Cortex - M4结合在一起。

高精度PWM单元

电源电压范围：3.13 - 3.63V

ARM Cortex - M4，120MHZ，包括单周期DSP MAC和浮点运算（FPU）

eFlash: 256kB，80kB SRAM

10/100以太网MAC（含IEEE 1588），2x CAN

8通道DMA + USB和以太网专用DMA

USIC 4ch [Quad SPI, SCI/UART, I²C, I²S, LIN]

硬件ECC

这些都可帮助客户游刃有余的完成整个电源的转换，同时根据需要可以灵活选择；

功率MOSFET

IMT65R022M1H：

Infineon CoolSIC碳化硅MOSFET；

650V，22moh，TOLL封装；

性能可靠稳定，搭配英飞凌配套驱动IC，最大化实现碳化硅MOSFET的优势；

可根据实际设计需要更换型号；

IPT017N12NM6：

Infineon OptiMOS 6，最新一代的OptiMOS，120V，1.7moh，TOLL封装；

搭配英飞凌配套驱动IC，充分发挥出OptiMOS的优异性能；

可根据实际设计需要更换型号；

Driver IC：

2EDF8275F是实现大功率开关噪声环境中高边及低边MOSFET初级侧控制可靠稳健运行的理想选择。4A/8A的强大驱动能力，150v/ns的CMTI能力；2个输出通道均单独隔离；

Aux-power IC:

ICE5QSBG英飞凌第五代准谐振反激式PWM控制器性能强大，具有全面的保护组合，有效提高了系统稳健性；

方案特点：

拓扑简单，效率高，功率密度大；

完全自主设计，可提供全套的软硬件支持；

可根据客户需求调整设计，协助客户快速出产品；

关于安富利  

安富利是全球领先的技术分销商和解决方案提供商，在过去一个多世纪里一直秉持初心，致力于满足客户不断变化的需求。通过遍布全球的专业化和区域化业务覆盖，安富利可在产品生命周期的每个阶段为客户和供应商提供支持。安富利能够帮助各种类型的公司适应不断变化的市场环境，在产品开发过程中加快设计和供应速度。安富利在整个技术价值链中处于中心位置，这种独特的地位和视角让其成为了值得信赖的合作伙伴，能够帮助客户解决复杂的设计和供应链难题，从而更快地实现营收。