Texas Instruments TPSF12C3/TPSF12C3-Q1 独立的 有源滤波器 IC是为了减少三相交流 共模(CM)电磁干扰(EMI)系统中的 功率 。配置了 电压 感应和电流注入(VSCI)的有源 EMI滤波器(AEF)使用一个电容乘法器 circuit,以模拟传统无源 滤波器 设计中的Y电容。该器件使用一组检测电容器来检测每条电源线上的高频噪声。它使用注入电容器将降噪电流注入电源线。有效的有源电容由电路增益和注入电容设置。AEF检测和注入阻抗使用相对较低的电容值,组件尺寸较小。设备,包括 集成 滤波、补偿、保护 电路,以及一个使能 输入。
数据手册:
*附件:TPSF12C3-Q1数据表.pdf
*附件:TPSF12C3数据表.pdf
Texas Instruments TPSF12C3/TPSF12C3-Q1,为CM 噪声 在 频率范围,为 EMI 测量,提供一个非常低的 阻抗 路径。在指定的 频率 范围的低端(150kHz 至 3MHz),启用高达 30dB 的CM 噪声 减少,大大降低了CM 大小、 重量,以及CM 滤波器 实施的成本。LMR140x0-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100认证。
特性
- 可提供功能安全文档来辅助功能安全系统的设计
- 电压检测、电流注入有源EMI滤波器
- 针对CISPR 25 5级汽车EMI要求进行了优化
- 实现共模发射低阻抗
- 扼流圈尺寸、重量和成本减少了50%以上
- 峰值注入电流为±80mA(典型值)
- 宽电源电压范围:8 V至16 V
- 结温范围:-40°C至150°C
- 简单配置,用于三相交流系统
- 集成检测滤波器和求和网络
- 线路频率下漏电流低
- 简化的补偿网络
- 固有保护特性,可实现稳健设计
- 可承受6kV 浪涌 (IEC 61000-4-5),更大限度减少了外部元件数量
- 用于远程开/关控制的使能引脚
- 带迟滞的V
DD 电压UVLO保护 - 具有迟滞功能的热关断保护
- 4.2mm × 2mm SOT-23 14引脚(DYY)封装
功能框图

TPSF12C3独立式三相交流电源系统共模噪声抑制有源EMI滤波器技术解析
一、产品概述
TPSF12C3是德州仪器(TI)推出的独立式有源EMI滤波器IC,专门用于三相交流电源系统中的共模噪声抑制。该器件采用创新的电压检测-电流注入(VSCI)架构,具有以下核心特性:
- 功能安全支持:提供功能安全系统设计文档
- 高效噪声抑制:针对CISPR 11和CISPR 32 Class B传导EMI要求优化
- 显著体积缩减:可减少50%以上的扼流圈尺寸、重量和成本
- 宽工作范围:8V至16V电源电压,-40°C至150°C结温范围
- 集成保护:内置6kV浪涌保护(IEC 61000-4-5)、UVLO和热关断
- 紧凑封装:4.2mm×2mm SOT-23 14引脚(DYY)封装
二、关键电气参数
| 参数 | 规格 | 条件 |
|---|
| 电源电压范围 | 8V-16V | 推荐12V |
| 注入电流 | ±80mA(典型) | 峰值 |
| 放大器带宽 | 113MHz | 单位增益 |
| 静态电流 | 13.2mA(典型) | VDD=12V |
| UVLO阈值 | 7.7V(上升)/6.7V(下降) | 带1V迟滞 |
| 热关断 | 175°C(触发)/155°C(恢复) | - |
| ESD防护 | ±2kV(HBM)/±500V(CDM) | - |
三、核心技术解析
1. VSCI架构工作原理
TPSF12C3采用电压检测-电流注入(VSCI)技术:
- 检测阶段:通过CSEN1-4电容(典型680pF)检测三相线路上的高频噪声
- 处理阶段:内部高通滤波消除50/60Hz工频干扰,专用放大器处理CM噪声
- 注入阶段:通过CINJ电容(典型4.7nF)注入反相抵消电流
- 等效效果:实现相当于传统Y电容30-100倍的"有源电容"效果
2. 热共享补偿网络
独特的补偿设计确保稳定性:
- 主补偿网络:COMP1-COMP2间的RG(1.5kΩ)、CG1(10nF)和CG2(10pF)组成
- 三重阻尼路径:
- 低频段:RD1(1kΩ)与CD2(22nF)提供主补偿
- 中频段:RD3(200Ω)与CINJ并联阻尼
- 高频段:RD1A(50Ω)改善相位裕度
3. 系统级保护机制
- 浪涌防护:集成TVS二极管接口,可承受6kV/1.2μs-50μs组合波
- 故障检测:自动识别LED开路/短路状态
- 安全控制:EN引脚支持远程关断(55μA待机电流)
- 热管理:94°C/W结至环境热阻(14引脚DYY封装)
四、典型应用设计
1. 10kW三相PFC电路EMI滤波方案
设计要点:
- 元件选型:
- 检测电容:4×680pF Y2级(DE2B3SA681KN3AX02F)
- 注入电容:4.7nF Y2级(DE2E3SA472MA3BX02F)
- 阻尼电阻:RD1=1kΩ, RD1A=50Ω, RD3=200Ω
- PCB布局:
- 高压走线间距≥3.8mm(150mil)
- 检测走线与注入走线分层布置
- COMP补偿网络距器件<5mm
- VDD去耦电容(1μF)紧贴引脚
- 性能对比:
- 传统方案:需2级共模扼流圈(每级10mH)
- AEF方案:扼流圈减至2mH,体积减少60%
2. 电动汽车充电桩应用
特殊设计考虑:
- 环境适应性:-40°C至105°C环境温度要求
- 可靠性:符合AEC-Q100 Grade 1标准
- 安全隔离:检测/注入电容满足300VAC Y2评级
- 诊断功能:通过FAULT引脚实现状态监控