该TLC6C5912是一款单片、中压、低电流功率 12 位移位寄存器 设计用于需要相对中等负载功率的系统,例如 LED。
该器件包含一个 12 位串行输入并行输出移位寄存器,可为 12 位馈电 D型存储寄存器。通过移位寄存器和存储寄存器进行数据传输 移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的边沿。存储 寄存器在移位寄存器清除 (CLR) 时将数据传输到输出缓冲器 很高。CLR 的低电平会清除设备中的所有寄存器。保持输出 使能 (G) 高电平使输出缓冲器中的所有数据保持为低电平,所有漏极 输出关闭。将 G 保持为低电平,使存储寄存器中的数据 对输出缓冲区透明。
*附件:tlc6c5912.pdf
该器件包含一个 12 位串行输入并行输出移位寄存器,可为 12 位馈电 D型存储寄存器。为班次和存储提供单独的时钟 寄存 器。
输出为低侧开漏 DMOS 晶体管,输出额定值为 40 V 和 50 mA 连续灌电流或 200 mA PWM 电流,单脉冲持续时间小于 1 ms,平均 电流小于 50 mA 能力 V CC = 5 伏。该设备包含 内置热关断保护,并在使用 人体模型和 200 V 机器模型。
TLC6C5912表征适用于在 −40°C 至 105°C。
特性
- 宽 V
CC范围为 3 V 至 5.5 V - 输出最大额定值为 40 V
- 12 个功率 DMOS 晶体管输出,50 mA 连续电流,V
CC = 5 V 或200 mA PWM 电流,单脉冲持续时间小于1 ms,平均电流小于 50 mAr - 热关断保护
- 增强多级级联
- 所有寄存器均通过单输入清除
- 低功耗
- 慢速开关时间(t 和 t
f ),这有助于显着降低 EMI - 20引脚TSSOP-PW封装
参数

方框图

1. 核心特性
- 电源范围:3V至5.5V宽电压支持,输出最大额定电压40V。
- 输出能力:12路功率DMOS晶体管输出,支持50mA连续电流(VCC=5V)或200mA PWM电流(单脉冲<1ms且平均电流<50mA)。
- 保护功能:内置热关断保护,增强级联能力,支持通过单一输入清除所有寄存器。
- 封装:20引脚TSSOP-PW封装(6.5mm×4.4mm)。
2. 应用场景
- 家电显示面板、电梯面板、PLC功能指示灯、七段数码管驱动等。
3. 功能描述
- 寄存器结构:包含12位串行输入/并行输出移位寄存器和12位D型存储寄存器,数据在SRCK(移位寄存器时钟)和RCK(寄存器时钟)上升沿传输。
- 控制逻辑:
- CLR(清除引脚) :高电平时存储寄存器数据传输至输出缓冲器,低电平时清除所有寄存器。
- G(输出使能) :低电平使能输出缓冲器,高电平关闭所有输出。
- 级联支持:通过SER_OUT引脚串联多个器件,提升级联应用可靠性。
4. 电气参数
- ESD防护:人体模型2000V,机器模型200V。
- 导通电阻:单通道导通时典型值6Ω(VCC=5V,25°C),全通道导通时略高。
- 功耗:静态电流低至0.1μA(无时钟信号时)。
5. 典型应用电路
- 级联拓扑:通过SER_OUT连接多个器件,MCU控制SRCK、RCK和CLR信号。
- LED驱动设计:需根据LED正向电压(VDx)和供电电压(Vsupply)计算限流电阻(Rx = (Vsupply - VDx) / I)。
6. 热管理与布局建议
- 热关断:结温超过175°C时自动关断,降至160°C后恢复。
- PCB设计:最大化铜覆盖率以散热,推荐在VCC引脚附近放置0.1μF陶瓷去耦电容。
7. 封装与订购信息
- 型号:TLC6C5912PWR(TSSOP-20),符合RoHS标准,工作温度-40°C至105°C。