标准清洗液SC-1是半导体制造中常用的湿法清洗试剂,其核心成分包括以下三种化学物质:
氨水(NH₄OH):作为碱性溶液提供氢氧根离子(OH⁻),使清洗液呈弱碱性环境。它能够轻微腐蚀硅片表面的氧化层,并通过电化学作用使颗粒与基底脱离;同时增强对有机物的溶解能力124。
过氧化氢(H₂O₂):一种强氧化剂,可将碳化硅表面的颗粒和有机物氧化为水溶性化合物,便于后续冲洗去除。该成分还能在硅片表面形成临时氧化膜,辅助剥离污染物并减少损伤风险15。
去离子水(DI Water):充当溶剂载体,负责稀释氨水和双氧水的浓度,控制反应速率以避免过度腐蚀。高纯度的去离子水确保不会引入新的杂质污染晶圆表面24。
这些成分按特定比例混合后协同作用,通过氧化、腐蚀与静电排斥机制实现高效去污。例如,典型的体积配比为去离子水:H₂O₂(30%):NH₄OH(29w/w%)=5:1:1,但实际工艺中会根据清洗对象和设备条件动态调整参数。SC-1溶液广泛应用于RCA清洗流程的第一步,主要用于去除颗粒、有机物及部分金属杂质,为后续精密加工提供洁净基底。
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