Texas Instruments CSD96415同步降压NexFET™功率级是高度优化的设计,用于大功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动器IC和功率MOSFET,可完成功率级开关功能。该组合可在5mm × 6mm小型封装中实现大电流、高效率以及高速开关功能。它还集成了精确的电流检测和温度检测功能,可以简化系统设计并提高精度。此外,Texas Instruments CSD96415 PCB的尺寸也经过优化,以帮助缩短设计时间和简化整个系统设计的完成过程。
数据手册:*附件:Texas Instruments CSD96415同步降压NexFET™功率级数据手册.pdf
特性
- 额定峰值电流:80A
- 16V V
IN 、25V额定高侧和低侧FET - 峰值效率:超过94%(f
SW =600kHz,L OUT =150nH) - 高频工作(高达1.75MHz)
- 温度补偿双向电流感测
- 模拟温度输出
- 故障监控
- 3.3V和5V PWM信号兼容
- 三态PWM输入
- 集成式自举开关
- 优化的死区时间,可提供击穿保护
- 包装
- 高密度,QFN 5mm × 6mm
- 超低电感
- 系统优化PCB尺寸
- 散热增强型顶部冷却
- 符合RoHS指令,无铅端子电镀
- 不含卤素
- 7英寸和13英寸卷轴可选
简化应用

CSD96415RWJ同步降压NexFET™功率级技术解析
一、产品核心特性
CSD96415RWJ是德州仪器推出的高性能集成化功率级解决方案,专为高密度同步降压转换器设计,具有以下突出特性:
电气参数亮点:
- 超高电流能力:80A峰值电流输出
- 宽电压支持:16V输入电压,25V MOSFET耐压等级
- 卓越效率:>94%峰值效率(600kHz/150nH条件下)
- 高频工作:支持高达1.75MHz开关频率
- 智能监测:
封装优势:
- 超紧凑5mm×6mm QFN封装
- 超低寄生电感设计
- 顶部散热增强结构
- 符合RoHS标准无卤素设计
二、系统架构设计
1. 集成化功率级方案
该器件创新性地将以下组件集成于单一封装:
- 功率MOSFET:优化高低边管组合
- 驱动电路:支持3.3V/5V PWM信号
- 保护功能:
2. 智能监测系统
电流检测:
- 温度补偿技术确保全温区精度
- 双向检测支持能量回馈应用
热管理:
- 模拟温度输出(TSNS引脚)
- 165℃热关断保护
- 顶部散热金属面设计
三、典型应用设计
1. 多相降压转换器配置
推荐参数:
- 开关频率:600kHz-1.75MHz
- 输出电感:150nH(典型值)
- 输入电容:≥10μF陶瓷电容
布局要点:
- 功率路径采用短而宽走线
- 敏感信号远离开关节点
- 热焊盘充分连接至地平面
2. 外围元件选择指南
| 元件类型 | 推荐规格 | 注意事项 |
|---|
| 输入电容 | 低ESR陶瓷电容 | 靠近VIN引脚布置 |
| 自举电容 | 100nF X7R | 耐压≥10V |
| 栅极电阻 | 0-10Ω | 调节开关速度 |
| 温度采样 | 10kΩ上拉 | 用于TSNS输出 |
四、PCB设计规范
1. 封装机械参数
- 引脚数量:41引脚VQFN-CLIP
- 焊盘尺寸:5mm×6mm主体
- 热焊盘:必须焊接确保散热
2. 推荐焊盘图案
- 焊盘间距:0.5mm
- 钢网开口率:90%
- 接地过孔:4×4阵列布置
3. 回流焊参数
- 峰值温度:260℃(MSL2等级)
- 温度曲线:符合JEDEC J-STD-020标准
五、应用场景推荐
- 高性能计算:
- CPU/GPU核心供电
- 内存电源模块
- 服务器VRM设计
- 通信基础设施:
- 工业电源: